[发明专利]一种压电谐振器的制备方法和压电谐振器

权利要求书

1.一种压电谐振器的制备方法，其特征在于：包括：

在第一衬底上形成单晶压电材料层；

在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层。

2.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在第一衬底上形成单晶压电材料层包括：

提供单晶衬底；

在所述单晶衬底上外延生长单晶AlN，形成单晶AlN压电层。

3.根据权利要求2所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述多晶压电材料层与所述单晶压电材料层的材料相同。

4.根据权利要求3所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：

在所述单晶AlN压电层远离所述第一衬底一侧的表面沉积多晶AlN，形成多晶AlN压电层。

5.根据权利要求2所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述多晶压电材料层与所述单晶压电材料层的材料不同。

6.根据权利要求5所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层包括：

采用沉积法在所述单晶AlN压电层远离所述第一衬底一侧的表面沉积锆钛酸铅压电陶瓷、多晶氧化锌、钽酸锂或铌酸锂，形成PZT压电层、ZnO压电层、LiTaO₃压电层或LiNbO₃压电层。

7.根据权利要求2-6任一项所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述单晶AlN压电层的厚度小于0.6μm。

8.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述单晶压电材料层和所述多晶压电材料层的总厚度大于或等于1.5μm。

9.根据权利要求1所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，在所述单晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成多晶压电材料层之后，还包括：

在所述多晶压电材料层远离所述第一衬底一侧的表面形成第一电极；

将带有所述第一电极的压电谐振器通过所述第一电极压合至第二衬底，并利用薄膜转移工艺将所述第一衬底剥离掉；

在所述单晶压电材料层远离所述第二衬底一侧的表面形成第二电极。

10.根据权利要求9所述的压电谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为Al、Cu、Ag、W、Pt、Ti和Mo中的一种或者多种组合。

11.一种压电谐振器，其特征在于，包括：

单晶压电材料层；

形成于所述单晶压电材料层一侧表面的多晶压电材料层；

形成于所述多晶压电材料层远离所述单晶压电材料层一侧表面的第一电极；

形成于所述单晶压电材料层远离所述多晶压电材料层一侧表面的第二电极。

12.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述单晶压电材料层的材料为单晶AlN。

13.根据权利要求12所述的压电谐振器，其特征在于，所述多晶压电材料层的材料为多晶AlN、锆钛酸铅压电陶瓷、多晶氧化锌、钽酸锂或铌酸锂。

14.根据权利要求12或13所述的压电谐振器，其特征在于，所述单晶压电材料层的厚度小于0.6μm。

15.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述单晶压电材料层和所述多晶压电材料层的总厚度大于或等于1.5μm。

16.根据权利要求11所述的压电谐振器，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的材料为Al、Cu、Ag、W、Pt、Ti和Mo中的一种或多种组合。