[发明专利]光传感装置有效
申请号: | 201710864165.7 | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN109148492B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 郑允玮;朱益兴;黄胤杰;周俊豪;李国政;黄薰莹;陈信吉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感 装置 | ||
1.一种光传感装置,包括:
一半导体基底;
一光感测区域,位于该半导体基底中;
一滤光元件,位于该半导体基底上且与该光感测区域对齐,其中该滤光元件具有一第一部分及一第二部分,且该第一部分位于该第二部分与该光感测区域之间;
一遮光元件,位于该半导体基底上且在该滤光元件的该第一部分旁边;以及
一介电元件,位于该半导体基底上且在该滤光元件的该第二部分旁边,其中该遮光元件的一顶部宽度大于该介电元件的一底部宽度。
2.如权利要求1所述的光传感装置,其中该遮光元件围绕该滤光元件的该第一部分,且该介电元件围绕该滤光元件的该第二部分。
3.如权利要求1所述的光传感装置,还包括一保护层,围绕该滤光元件,其中该保护层位于该遮光元件与该滤光元件之间。
4.如权利要求3所述的光传感装置,其中该保护层直接接触该遮光元件的一顶面。
5.如权利要求1所述的光传感装置,还包括一第二介电元件,位在该介电元件上方,其中该第二介电元件围绕该滤光元件的一第三部分,且该第二部分位元在该滤光元件的该第一部分与该第三部分之间。
6.如权利要求5所述的光传感装置,其中该介电元件的一顶部宽度大于该第二介电元件的一底部宽度。
7.如权利要求1所述的光传感装置,其中该遮光元件的一底部宽度大于该遮光元件的该顶部宽度,且该介电元件的该底部宽度大于该介电元件的一顶部宽度。
8.如权利要求7所述的光传感装置,其中该遮光元件具有一第一倾斜侧壁表面,且该介电元件具有一第二倾斜侧壁表面。
9.如权利要求8所述的光传感装置,其中该第一倾斜侧壁表面不平行于该第二倾斜侧壁表面。
10.如权利要求1所述的光传感装置,其中该滤光元件具有圆形轮廓或椭圆形轮廓。
11.一种光传感装置,包括:
一半导体基底;
一光感测区域,位于该半导体基底中;
一滤光元件,位于该半导体基底上且与该光感测区域对齐;
一光反射元件,位于该半导体基底上且围绕该滤光元件的一较低部分;
一介电元件,位于该光反射元件上且围绕该滤光元件的一较高部分;以及
一保护层,位于该介电元件上且位于该滤光元件与该光反射元件之间。
12.如权利要求11所述的光传感装置,其中该光反射元件的一顶面具有一内部及围绕该内部的一外部,且该介电元件的整体底面直接接触该光反射元件的该顶面的该内部。
13.如权利要求11所述的光传感装置,其中该光反射元件沿着从该光反射元件的一底面朝向该介电元件的一方向逐渐变窄。
14.如权利要求13所述的光传感装置,其中该介电元件沿着从该介电元件的一顶面朝向该光反射元件的一方向逐渐变宽。
15.如权利要求14所述的光传感装置,其中该保护层与该介电元件一起覆盖该光反射元件的一顶面。
16.如权利要求11所述的光传感装置,其中该保护层围绕该滤光元件,该保护层的一较低部分位于该光反射元件与该滤光元件之间,且该保护层的一较高部分位于该介电元件与该滤光元件之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的