[发明专利]一种茄子、西红柿或菜椒地套种大球盖菇的栽培方法在审

专利信息
申请号: 201710865721.2 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN107750851A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 赵芩 申请(专利权)人: 赵芩
主分类号: A01G22/05 分类号: A01G22/05;A01G18/00;A01G18/20;C05G1/00
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)14110 代理人: 郑晋周
地址: 036300 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 茄子 西红柿 套种 大球盖菇 栽培 方法
【权利要求书】:

1.一种茄子、西红柿或菜椒地套种大球盖菇的栽培方法,包括菜地的选择、大球盖菇培养基原料准备、整地、原种培养、合理播种、菌丝生长管理与蔬菜管理、采收,其特征在于:具体包括如下步骤:

(1)菜地的选择:要求远离有污水、废气出现的地方,通风透气性好、接近水源的土壤即可;

(2)大球盖菇培养基原料准备:大球盖菇培养基I:高粱米400g、马铃薯200g、豆粕粉400g、玉米粉40g、葡萄糖20g、碳酸钙10g、硫酸镁10g、硫酸亚铁10g、磷酸氢二钾10g、维生素B1 5mg、叶酸5mg、烟酸5mg、琼脂粉30-40g,水2L;具体制备方法为:马铃薯切成块煮沸30min,高粱米、豆粕粉和玉米粉分别煮沸1h后,分别用纱布过滤,马铃薯上清液、高粱米上清液、豆粕粉上清液以及玉米粉上清液混合均匀后加入葡萄糖、碳酸钙、硫酸镁、硫酸亚铁、磷酸氢二钾、维生素B1、叶酸、烟酸、琼脂粉,搅拌均匀后水定容至2L,121℃灭菌20min;

大球盖菇培养基II:粉碎至粒径为5-10目的玉米杆粉50份、粉碎至粒径为5-10目的高粱壳粉50份、粉碎至长度为0.2-0.5cm的稻草碎屑10份、粉碎至长度为0.2-0.5cm的杂木屑10份、生石灰1份、碳酸钙10份、维生素B1 0.05份、叶酸0.05份、烟酸0.05份、葡萄糖20份;具体制备方法为:高粱杆粉、高粱壳粉、稻草碎屑、杂木屑混合均匀后浸泡或喷淋水,浸水时间为24-48h,至含水量为手握培养料,水珠不滴落即可,然后拌以生石灰、碳酸钙、维生素B1、叶酸、烟酸和葡萄糖,121℃灭菌1-2h;

(3)整地:播种前,把土地耕作平整作畦成种植块,松土层厚度为40-50cm,起垄作畦,地垄横截面为等腰梯形,顶部宽为50cm,侧面宽为15cm,地垄沟宽45cm,垄高10cm;

(4)大球盖菇原种培养:无菌条件下将购买的大球盖菇母种接种入灭菌的大球盖菇培养基I中,22-28℃暗室培养25-30d,菌丝长满培养基获得原种;大球盖菇培养基II装入培养瓶中,培养基占培养瓶体积的3/4,然后121℃灭菌1-2h;培养基自然冷却后无菌条件下接种入大球盖菇原种,每瓶接种直径为3-5cm的菌块,22-28℃暗室培养30-35d,菌丝长满培养瓶获得栽培种;

(5)合理播种:将茄子、西红柿或菜椒5-6叶龄幼苗栽种于地垄顶面,间距为30-40cm,移栽幼苗后,常规水肥管理,待茄子、西红柿或菜椒幼苗长至叶片自然遮阴达50%后,在菜苗遮阴处的地垄顶面铺5-7cm厚的大球盖菇培养基II,地垄沟内铺设20cm宽、5-7cm厚的大球盖菇培养基II作为菇床,剩余地垄沟作为行走道;菇床顶部再铺一层4cm厚的湿稻草,大球盖菇栽培种的菌块点播菇床中,按照5-8cm深、间隔8cm进行播种;

(6)菌丝生长管理与高粱管理:菌丝体生长阶段的管理:播种后控制地表温度为20-25℃,菇床湿度为60%-70%,菇床栽培环境相对湿度为80%-85%,播种20d后喷洒水浸湿稻草,大球盖菇和高粱共培养28-30d后,大球盖菇菌丝体长满菇床;菇蕾形成阶段的管理:菌丝体长满菇床后,菜苗叶片对大球盖菇自然遮阴低于90%,人工加设低于菜苗叶片的半遮阳网,每隔1d用灭菌的竹竿在菇床上戳孔降温,控制菇床温度为15-20℃,栽培环境相对湿度为85%-90%,培养2-3周后菇蕾形成;子实体发育生长阶段管理:控制菇床温度为20-27℃,栽培环境相对湿度为90%-95%,菇床相对湿度为70%-80%进行培养;大球盖菇生长期间,菜苗进行常规除草、施肥,菜苗叶片对大球盖菇自然遮阴达90%后,撤去半遮阳网;

(7)采收:成熟后适时采收,大球盖菇播种后采收3-4批,子实体的菌褶未破裂或刚破裂,菌盖呈钟形时采收,最迟在菌盖内卷,菌褶呈灰白色时采收;采收用拇指和中指或竹刀片从菌托底旋转切断采下,同时防止泥土以及培养料污染菌柄和菌裙,菌床上留下的洞口要及时补平,清除留在菌床上的残菇;大球盖菇采收期,茄子、西红柿以及菜椒正常采收。

2.根据权利要求1所述的一种茄子、西红柿或菜椒地套种大球盖菇的栽培方法,其特征在于:大球盖菇菌丝体生长阶段控制地表温度为24±1℃;菇蕾形成阶段控制菇床温度为16±1℃;子实体发育生长阶段控制菇床温度为25±1℃。

3.大球盖菇生长管理过程中光照控制为100-400lx。

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