[发明专利]用于分割半导体装置的方法和半导体装置

说明书

一种用于分割半导体晶片的方法，包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。分割区域具有高于1·10¹⁵cm^‑3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。

技术领域

实施例涉及用于制造半导体装置的思想，尤其涉及用于分割半导体装置的方法和半导体装置。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，可能需要将半导体晶片分成两个垂直部分，例如以用于制造绝缘体上硅(SOI)晶片。在一些系统中，可使用智能切割工艺，其可基于在半导体晶片的一区域内形成空穴，随后用于在加热步骤中垂直地分割晶片。为了形成空穴，在一些系统中，可能需要非常高剂量的质子辐射，这可导致高的工艺复杂度和高的加工成本。

发明内容

需要提供一种用于分割半导体晶片的改进的思想，从而能够以较小的复杂度和/或较低的成本来分割半导体晶片。

这种需求可以通过权利要求的主题来满足。

一些实施例涉及一种用于分割半导体晶片的方法。该方法包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。分割区域具有高于1·10¹⁵cm^-3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。

一些实施例涉及一种用于分割半导体晶片的方法。该方法包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。该方法还包括将氮原子并入半导体晶片的至少分割区域，以使得分割区域在并入氢原子后具有高于1·10¹⁵cm^-3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。

一些实施例涉及一种半导体装置，其包括半导体衬底，所述半导体衬底在离半导体衬底的表面1μm的距离处具有高于1·10¹⁵cm^-3的氮原子浓度。

附图说明

下面将仅通过示例并参照附图来描述装置和/或方法的某些实施例，在附图中：

图1示出了用于分割半导体晶片的方法的流程图；

图2示出了用于分割半导体晶片的方法的流程图；以及

图3示出了半导体装置的示意性剖视图。

具体实施方式

现在将更充分地参照附图来描述各个示例的实施例，在附图中，例示了某些示例的实施例。在附图中，为了清楚起见，可以放大线条、层和/或区域的厚度。

因此，尽管示例的实施例能够具有各种修改和替代形式，但在附图中通过示例的方式示出其实施例，并且本文中将详细描述其实施例。然而，应当理解，并非旨在将示例的实施例限制为所公开的具体形式，但相反，示例的实施例将覆盖落入本公开内容的范围内的所有的修改、等同和替换形式。在对附图的描述中，相似的附图标记指代相似的或类似的元件。

将理解的是，当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，其可以直接连接或耦合到另一元件或者可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，不存在中间元件。应当以类似的方式来解释用于描述元件之间的关系的其它词语(例如，“位于……之间”与“直接位于……之间”的关系、“邻近”与“直接邻近”的关系等)。

本文所使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而并非旨在限制示例的实施例。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。将进一步理解的是，当在本文中使用术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指定了存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除出现或增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。