[发明专利]边缘保护板、边缘保护组件以及用于处理基板的设备

说明书

公开了边缘保护板、边缘保护组件以及用于处理基板的设备。本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。本发明的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室中可定位在紧密接近基板处。该边缘保护板重叠基板上的边缘及/或侧边，以便向基板的边缘、侧边、及背面上的反射涂层提供保护。

本申请是申请日为2012年4月25日、申请号为“201280026219.8”、发明名称为“用于带有边缘、侧边及背面保护的干蚀刻的装置及方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。

背景技术

影印平版印刷术期间，诸如光掩膜(photomask)即光标线片(reticle)的基板通常定位在光源与受处理的晶片之间，以在晶片上形成图案化的特征。该基板含有反映待形成于晶片上的特征配置方式的图案。

光掩膜基板一般包括光学透明的硅类材料(诸如石英)的基板，该基板具有形成于工作表面上的光遮蔽金属层金属以及形成于其余表面上的高反射涂层，该光遮蔽金属层金属一般是铬，该高反射涂层诸如为氮化铬。光遮蔽金属层经图案化与蚀刻而形成界定该图案的特征，该图案与待通过影印平版印刷术工艺转移至晶片(诸如半导体晶片)的特征相对应。

沉积与蚀刻工艺通常用于制造图案化的光掩膜基板。高反射涂层在沉积或蚀刻工艺期间可能受损。例如，使用等离子体蚀刻光遮蔽金属层中的图案的同时，高反射涂层若暴露至等离子体，可能会劣化。图1是在等离子体环境中受处理的基板100的示意性侧视图。基板100包括基板102，该基板102具有光遮蔽金属层104以及光反射涂层106，该光遮蔽金属层104形成在顶面112上，而该光反射涂层106形成在底面114与侧表面116上。在传统上，于光遮蔽金属层104上形成图案的同时，将基板100配置在支撑组件108上，而光遮蔽金属层104面向等离子体110。然而，光反射涂层106(尤其是侧表面116上的光反射涂层106)可能暴露至等离子体110，因而在工艺期间会有所折损(compromised)。

因此，需要一种于基板上形成图案而不至于损坏基板上的反射涂层的方法与设备。

发明内容

本发明的实施例大体上提供用于处理基板的设备与方法。更详言之，本发明的实施例提供用于在等离子体处理期间保护基板边缘及/或侧边的设备与方法。

本发明的一个实施例提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体以及支撑组件，该腔室主体界定处理空间，而该支撑组件配置在该处理空间中。该支撑组件包含用于在处理期间支撑基板的抬高部分。该设备也包括等离子体源，该等离子体源被配置以在处理空间中生成或供应等离子体，该设备还包括边缘保护板，该边缘保护板以可移动的方式配置在处理空间中位在该支撑组件上方。该边缘保护板具有形成在中心区域中的通孔。

本发明的另一实施例提供一种用于处理基板的设备。该设备包括腔室主体以及支撑组件，该腔室主体界定处理空间，而该支撑组件配置在该处理空间中。该腔室主体包含腔室壁以及腔室盖，该腔室盖配置在该等腔室壁上方。该支撑组件含用于在处理期间支撑基板的抬高部分。该设备也包括天线，该天线配置在该腔室盖上方并且被配置以在处理空间中生成等离子体，该设备还包括边缘保护组件，该边缘保护组件配置在处理空间中。该致动的边缘保护组件包括举升箍、三个或更多个支撑销以及边缘保护板，该举升箍以可移动式配置在处理空间中，该等支撑销从该举升箍延伸，而该边缘保护板具有配置在该支撑组件上方的通孔。该边缘保护板耦接该三个或更多个支撑销并且可随该举升箍移动。