[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括器件区；

在所述衬底上形成功能层；

在所述器件区功能层上形成多个分立的初始核心层，相邻初始核心层之间具有第一间隙；

在所述初始核心层侧壁表面形成侧墙；

形成所述侧墙之后，去除所述第一间隙底部的功能层，在功能层内形成第一开口；

形成所述侧墙之后，对所述初始核心层进行图形化处理，去除部分初始核心层，形成核心层以及位于侧墙之间的第二间隙；

去除所述第二间隙底部暴露出的功能层，在所述功能层中形成第二开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口之后，形成所述第二开口；

形成所述第一开口的步骤包括：以所述侧墙和初始核心层为掩膜对所述功能层进行第一刻蚀，在所述功能层中形成第一开口；

所述图形化处理以及形成第二开口的步骤包括：在所述第一间隙底部以及初始核心层上形成图形化的第一图形层，且所述第一图形层暴露出部分所述初始核心层；以所述第一图形层和侧墙为掩膜对所述初始核心层和功能层进行第二刻蚀，形成核心层以及位于所述功能层中的第二开口。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一图形层之前，还包括：在所述第一开口中，以及所述侧墙、初始核心层和功能层上形成第一平坦层；所述第一图形层位于所述第一平坦层上。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括保留区；所述第一刻蚀之前，所述形成方法还包括：在所述功能层上形成图形化的第二图形层，所述第二图形层覆盖所述保留区功能层；所述第一刻蚀还以所述第二图形层为掩膜；

所述第一图形层还覆盖所述保留区功能层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二图形层之前，还包括：在所述功能层、侧墙和核心层上形成第二平坦层；所述第二图形层位于所述第二平坦层上。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形层的材料为光刻胶；所述第二图形层的材料为光刻胶。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，形成所述第一开口；

所述图形化处理和形成第二开口的步骤包括：在所述衬底和初始核心层上形成图形化的第一牺牲层，所述第一牺牲层暴露出部分初始核心层；以所述第一牺牲层和侧墙为掩膜，对所述初始核心层和功能层进行第三刻蚀，形成核心层以及位于所述功能层中的第二开口；

形成所述第一开口的步骤包括：在所述第二开口底部以及所述功能层上形成图形化的第二牺牲层，所述第二牺牲层暴露出所述功能层；以所述第二牺牲层、核心层和侧墙为掩膜对所述功能层进行第四刻蚀，在所述功能层中形成第一开口。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括保留区，第一图形层还覆盖所述保留区功能层；第二图形层还覆盖所述保留区功能层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化处理的步骤包括：在所述初始核心层上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分初始核心层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述初始核心层进行刻蚀至暴露出所述功能层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口和第二开口的步骤包括：以所述核心层和侧墙为掩膜对所述功能层进行刻蚀，在所述第一间隙底部的功能层中形成第一开口，并在所述第二间隙底部的功能层中形成第二开口。