[发明专利]多相公共接触部封装体

说明书

在一些示例中，一种装置包括第一引线框架段和第二引线框架段，其中，所述第二引线框架段与所述第一引线框架段电隔离。所述装置还包括至少四个晶体管，所述至少四个晶体管包括电连接到所述第一引线框架段的至少两个高压侧晶体管和电连接到所述第二引线框架段的至少两个低压侧晶体管。所述装置还包括至少两个导电输出元件，其中，所述至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到所述至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管和所述至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管。所述装置还包括电连接到所述至少四个晶体管中的每个晶体管的控制端子的集成电路。

技术领域

本公开涉及半导体封装，更具体地，涉及用于功率电子器件的半导体封装体。

背景技术

半桥电路可包括两个模拟装置或开关。半桥电路可使用于用于电机的电源中，和用于功率转换的整流器中。每个半桥电路封装体具有多个接触部，并且可包括将接触部彼此连接并连接到外部部件的几个导电路径。

一些电路可结合两个或两个以上半桥电路以创建多相功率转换器。多相功率转换器可具有用于电路的每相的输出节点。多相功率转换器可用作例如电子、汽车和电动机等各种应用中的直流到直流(DC/DC)转换器或交流到DC(AC/DC)转换器。

发明内容

本公开描述了用于多相功率转换器的技术，所述多相功率转换器包括电连接到多相功率转换器的每个晶体管的控制端子的集成电路(IC：integrated circuit)。多相功率转换器可包括公共接触引线框架段和导电元件，以缩短功率转换器封装体内的连接结构的长度并减少寄生效应。

在一些示例中，装置包括第一引线框架段和第二引线框架段，其中，第二引线框架段与第一引线框架段电隔离。装置还包括至少四个晶体管，所述至少四个晶体管包括电连接到第一引线框架段的至少两个高压侧晶体管和电连接到第二引线框架段的至少两个低压侧晶体管。装置还包括至少两个导电输出元件，其中，至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管和至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管。装置还包括电连接到至少四个晶体管中的每个晶体管的控制端子的IC。

在一些示例中，描述了用于构建电力电子装置封装体的方法。该方法可包括将至少四个晶体管中的至少两个高压侧晶体管中的每个高压侧晶体管的第一侧电连接到第一引线框架段。该方法还可包括将至少四个晶体管中的至少两个低压侧晶体管中的每个低压侧晶体管的第一侧电连接到第二引线框架段，其中，第一引线框架段与第二引线框架段电隔离。此外，该方法还可包括将至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到至少两个高压侧晶体管中的相应的高压侧晶体管的第二侧和至少两个低压侧晶体管中的相应的低压侧晶体管的第二侧。该方法还可包括将IC电连接到至少四个晶体管中的每个晶体管的第二侧上的控制端子。

在一些示例中，多相功率装置包括第一引线框架段和第二引线框架段，其中，第二引线框架段与第一引线框架段电隔离。多相功率装置还包括至少四个纵向晶体管，所述至少四个纵向晶体管包括电连接到第一引线框架段的至少两个高压侧纵向晶体管和电连接到第二引线框架段的至少两个低压侧纵向晶体管，其中，第一引线框架段和第二引线框架段电连接到至少四个纵向晶体管的第一侧。多相功率装置还包括至少两个导电输出元件，其中，所述至少两个导电输出元件中的每个导电输出元件电连接到至少两个高压侧纵向晶体管中的相应的高压侧纵向晶体管的第二侧和至少两个低压侧纵向晶体管中的相应的低压侧纵向晶体管的第二侧。多相功率装置还包括至少四个导电控制元件，其中，所述至少四个导电控制元件中的每个导电控制元件电连接到所述至少四个晶体管中的每个相应的晶体管的第二侧上的控制端子。多相功率装置还包括通过至少四个导电控制元件中的相应的导电控制元件电连接到至少四个导电控制端子中的每个相应的导电控制端子的集成电路(IC)。

一个或一个以上示例的细节在附图和下文描述中进行阐述。其他特征、目的和优点将从描述和附图以及从权利要求中变得显而易见。

附图说明