[发明专利]主动开关阵列基板在审
| 申请号： | 201710867740.9 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107422562A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 单剑锋 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 | 代理人： | 邓铁华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 主动 开关 阵列 | ||
1.一种主动开关阵列基板，其特征在于，包括：
透明基板；
第一扫描线，设置在所述透明基板上；
第三扫描线，设置在所述透明基板上；
第二扫描线，设置在所述透明基板上且所述第二扫描线位于所述第一扫描线和所述第三扫描线之间；
第一数据线，设置在所述透明基板上；
第二数据线，设置在所述透明基板上，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个第一像素单元区域，所述第二扫描线及所述第三扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成与所述第一像素单元区域相邻的一个第二像素单元区域；
第一像素电极，设置在所述透明基板上且所述第一像素电极位于所述第一像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述第一像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条第一狭隙；
第二像素电极，设置在所述透明基板上且所述第二像素电极位于所述第二像素单元区域内且电连接所述第二扫描线和所述第一数据线，所述第二像素电极上设有从所述第二扫描线向所述第三扫描线延伸的至少一条第二狭隙；
所述第一狭隙与所述第二狭隙相对于所述第一扫描线朝相反的方向倾斜。
2.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜的夹角取值范围为75°～85°。
3.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，与所述第一像素电极及所述第二像素电极同层设置在所述透明基板上。
4.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，设置在所述第一像素电极及所述第二像素电极和所述透明基板之间。
5.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述主动开关阵列基板还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。
6.根据权利要求5所述的主动开关阵列基板，其特征在于，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
7.根据权利要求1所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极均采用透明导电材料制成。
8.根据权利要求7所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。
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