[发明专利]一种氮化镓器件平坦化制程工艺

权利要求书

1.一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：

S1、在主动和欧姆接触区（D）上依次沉积第一介电层（C）、第二介电层（B）和第三介电层（A），所述第一介电层（C）和第二介电层（B）分别采用不同的绝缘材料，所述第一介电层（C）和第三介电层（A）采用相同的绝缘材料；

S2、根据第一介电层（C）、第二介电层（B）采用的不同材料，调制出具有选择比配方的研磨液；

S3、采用化学机械研磨进行研磨，研磨时并及时向研磨面添加S2制作研磨液，研磨时首先对第一介电层（C）进行研磨，待第一介电层（C）和第二介电层（B）同时并存露于表面时停止研磨；

S4、根据第一介电层（C）、第二介电层（B）采用的不同材料，调制出没有选择比配方的蚀刻液；

S5、对S3研磨过后的第一介电层（C）和第二介电层（B）同时进行蚀刻，第一介电层（C）和第二介电层（B）等速率的被蚀刻，待第二介电层（B）被蚀刻完后，只留下平整的第三介电层（A），停止蚀刻，即可完成平坦化制程。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其特征在于：所述S1中第一介电层（C）和第三介电层（A）采用氧化硅材料，所述第二介电层（B）采用氮化硅材料，所述S2中研磨液的配方为：聚丙烯酸乳为0.1-0.4%；三聚磷酸盐为0.2-0.5%；硝酸为1-3%；无离子水为剩余余量。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其特征在于：所述S3研磨完成后采用材质为PVA的刷子和超音波震荡的方式去除表面的杂质。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其特征在于：所述S4中蚀刻液的配方为：氢氟酸为55-60%；醋酸12-20%；无离子水为剩余余量。

5.根据权利要求1或4所述的一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其特征在于：所述S4中采用湿式蚀刻方式进行蚀刻。