[发明专利]一种铜氧化物核壳纳米线阵列材料的制备及用途有效

专利信息
申请号: 201710868577.8 申请日: 2017-09-22
公开(公告)号: CN107505366B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 吴玉程;余翠平;崔接武;王岩;张勇;舒霞 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;C25D11/34
代理公司: 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人: 沈尚林
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 纳米 阵列 材料 制备 用途
【权利要求书】:

1.一种铜氧化物核壳纳米线阵列材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)高纯Cu片、高纯Ti片的清洗:利用超声波清洗器的超声作用,依次将纯度>99.9%的Cu片、纯度>99.9%的Ti片在丙酮、无水乙醇以及去离子水中分别超声5~30min,去除表面的油污及氧化物,得到表面干净的Cu片和Ti片,随之将其放入烘箱中80℃烘干待用;

(2)阳极氧化法制备Cu(OH)2纳米线阵列:以清洗干净的高纯Cu片作为阳极,高纯Ti片为阴极,置于1~3mol L-1KOH水溶液中进行阳极氧化反应,电流密度为1~5mA cm-2,反应时间为5~30min,反应温度为5~20℃,获得Cu(OH)2纳米线阵列;

(3)将步骤(2)获得的Cu(OH)2纳米线阵列置于5~100mmol L-11,3,5-苯三甲酸的无水乙醇溶液中,浸泡反应0~30min,反应温度5~80℃,去离子水和无水乙醇交替清洗,干燥后得到Cu(OH)2/HKUST-1核壳纳米线阵列;

(4)将步骤(3)获得的Cu(OH)2/HKUST-1核壳纳米线阵列置于退火炉中空气退火,退火温度200~550℃,升温速率0.5~10℃min-1,保温时间20min~3h,自然冷却至室温后取出,即得到CuO/Cu2O@CuO/Cu2O核壳纳米线阵列。

2.一种采用如权利要求1所述的铜氧化物核壳纳米线阵列材料的制备方法制备得到的铜氧化物核壳纳米线阵列材料的用途,其特征在于,该铜氧化物核壳纳米线阵列材料应用于无酶葡萄糖传感器电极材料中。

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