[发明专利]使用通孔使基板的前侧连接至后侧的显示装置有效
申请号: | 201710870186.X | 申请日: | 2017-09-22 |
公开(公告)号: | CN107978619B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 沈锺植;崔荣埈;金延燮 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;谭天 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 通孔使基板 连接 至后侧 显示装置 | ||
公开了使用通孔使基板的前侧连接至后侧的显示装置。本公开涉及包括发光元件的显示装置。本公开提出了一种平板显示器,其包括:基板;设置在所述基板的第一表面上的驱动元件;设置在所述基板的第二表面上的有机发光二极管;从前表面到后表面穿透基板的通孔;以及填充通孔的用于使驱动元件连接至有机发光二极管的连接电极。
技术领域
本公开涉及一种包括发光元件的显示装置。具体地,本公开涉及一种平板显示器,特别是其中有机发光二极管和薄膜晶体管分别设置在前表面和后表面上,并且有机发光二极管和薄膜晶体管经由从前表面穿透到后表面的通孔而连接的平板显示器。
背景技术
现在开发了用于克服阴极射线管的许多缺陷诸如笨重且体积大的各种不同的平板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场发射显示器(或FED)、等离子体显示面板(或PDP)和电致发光装置(或EL)。
图1是示出根据相关技术的具有诸如薄膜晶体管的有源开关元件的有机发光二极管显示器的结构的平面图。图2是示出根据相关技术的沿图1的切割线I-I’切割的有机发光二极管显示器的结构的截面图。
参照图1和图2,有机发光二极管显示器包括薄膜晶体管(或“TFT”)基板和接合并面向TFT基板的盖ENC,在其间具有有机粘合剂POLY,薄膜晶体管(或“TFT”)基板具有薄膜晶体管ST和DT以及连接至薄膜晶体管ST和DT并且由薄膜晶体管ST和DT驱动的有机发光二极管OLE。TFT基板包括开关薄膜晶体管ST、连接至开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT和连接至驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLE。
在包括玻璃基板的透明基板SUB上,开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL与数据线DL彼此交叉处。开关薄膜晶体管ST用于选择连接至开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括从扫描线SL分支的栅电极SG、与栅电极SG交叠的半导体沟道层SA、源电极SS和漏电极SD。
驱动薄膜晶体管DT用于驱动由开关薄膜晶体管ST选择的像素的阳极电极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括连接至开关薄膜晶体管ST的漏电极SD的栅电极DG、半导体沟道层DA、连接至驱动电流线VDD的源电极DS,和漏电极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD连接至有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。
作为一个示例,图2示出了顶栅结构的薄膜晶体管。在这种情况下,首先在基板SUB上形成开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的半导体沟道层SA和DA,并且栅极绝缘层GI覆盖开关薄膜晶体管ST的半导体沟道层SA和驱动薄膜晶体管DT的半导体沟道层DA,然后通过与半导体沟道层SA和DA的中心部交叠来在栅极绝缘层GI上形成栅电极SG和DG。之后,在半导体沟道层SA和DA的两侧,源电极SS和DS以及漏电极SD和DD通过穿透绝缘层IN的接触孔连接至半导体沟道层SA和DA。源电极SS和DS以及漏电极SD和DD形成在绝缘层IN上。
此外,在围绕其中设置有像素区域的显示区域的外部区域,排列有形成在扫描线SL的一端的栅极焊盘GP、形成在数据线DL的一端的数据焊盘DP、以及形成在驱动电流线VDD的一端的驱动电流焊盘VDP。钝化层PAS被设置成覆盖具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB的整个上表面。
之后,形成的是露出栅极焊盘GP、数据焊盘DP、驱动电流焊盘VDP和驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD的接触孔。在基板SUB内的显示区域上方,涂覆有平坦层PL。平坦层PL使基板SUB的上表面的粗糙度处于更加平滑的状态,以在基板SUB的平滑且平坦的表面状态上涂覆构成有机发光二极管的有机材料。
在平坦层PL上,阳极电极ANO形成为通过接触孔中的一个接触孔连接驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD。另一方面,在显示区域的不具有平坦层PL的外部区域处,形成的是通过接触孔露出的分别连接至栅极焊盘GP的栅极焊盘电极GPT、连接至数据焊盘DP的数据焊盘电极DPT和连接至驱动电流焊盘VDP的驱动电流电极VDPT。在基板SUB上,堤部BA形成为覆盖除了像素区域之外的显示区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的