[发明专利]一种热敏电阻铜电极多功能防护膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种热敏电阻铜电极多功能防护膜层的制备方法，包括以下步骤：

步骤1)对半导体热敏电阻陶瓷基体进行刻蚀、清洗、干燥；

步骤2)在步骤1)所述的陶瓷基体上采用射频磁控溅射制备铜薄膜作为电极；步骤3)将步骤2)制备的铜电极置于胶体溶液中进行静电化处理5～15min，并用去离子水清洗；

步骤4)取500mL烧杯，倒入无水乙醇400mL，首先将0.1～0.3g十二烷基硫醇溶于乙醇溶液，搅拌均匀后静置15min；加入润湿剂10～20mL；将溶液加热至70～80℃，加入10～20g脂松香并搅拌5～10min完全溶解，最后加入2～3g增流剂调节混合溶液流动性，制成混合溶液；

步骤5)将经步骤3)处理后的铜电极迅速转移到磁力搅拌的混合溶液中浸镀膜层，时间5～30min，然后取出静置1h，在铜电极表面制备出0.2～1.0μm厚的多功能膜层；

步骤6)用丙酮对经步骤5)处理的铜电极进行淋洗，50～70℃热风中干燥5～15min，制得多功能防护膜层。

2.根据权利要求1所述的一种热敏电阻铜电极多功能防护膜层的制备方法，其特征在于，步骤1)所述对半导体热敏电阻陶瓷基体进行处理的方法如下：将基体先用0.05M HF刻蚀1～5min，再依次用盐酸溶液和氨水溶液超声清洗5～10min，最后用去离子水清洗、干燥。

3.根据权利要求1所述的一种热敏电阻铜电极多功能防护膜层的制备方法，其特征在于，步骤2)所述对陶瓷基体进行射频磁控溅射的工艺如下：将陶瓷基体置于射频磁控溅射仪中，调节溅射功率为30～50W，加热陶瓷基体至100～200℃，通入氩气调节气压至1Pa，控制沉积时间制备铜薄膜0.3～1.0μm。

4.根据权利要求1所述的一种热敏电阻铜电极多功能防护膜层的制备方法，其特征在于，步骤3)所述胶体溶液的制备工艺如下：将10～20g阳离子聚二烯基丙二甲基氯化铵聚合物固体缓慢加入至200mL去离子水中，在50℃恒温水浴下持续搅拌直到完全溶胀成胶体溶液，用HCl和NaOH调节pH至6～8，继续在室温下搅拌10～20h，制成所述胶体溶液。

5.根据权利要求1所述的一种热敏电阻铜电极多功能防护膜层的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述润湿剂为乙二醇甲醚或乙二醇丁醚，所述增流剂为司盘85。