[发明专利]一种用于操作比较器的方法有效
申请号: | 201710872237.2 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN107872634B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 海老原弘知;杨征 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/374;H04N5/341;H04N5/378;H03M1/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 操作 比较 方法 | ||
1.一种用于操作比较器的方法,其包括:
停用比较器的第一自动归零开关,所述第一自动归零开关经耦合以将所述比较器的参考电压输入自动归零;
调整提供到所述比较器的所述参考电压输入的斜波电压的自动归零偏移电压;及
停用所述比较器的第二自动归零开关,所述第二自动归零开关经耦合以将所述比较器的位线输入自动归零;
其中所述第一自动归零开关耦合在所述参考电压输入的栅极与位于PMOS晶体管与共源共栅装置之间的节点之间,其中所述参考电压输入为NMOS晶体管,且其中所述共源共栅装置耦合在所述参考电压输入与所述PMOS晶体管之间,且
其中所述第二自动归零开关耦合在所述位线输入的栅极与位于PMOS晶体管与共源共栅装置之间的节点之间,其中所述位线输入为NMOS晶体管,且其中所述共源共栅装置耦合在所述位线输入与所述PMOS晶体管之间。
2.根据权利要求1所述的方法,其中调整提供到所述比较器的所述参考电压输入的所述斜波电压的所述自动归零偏移电压包括:
响应于所述比较器具有低模拟增益而增加所述斜波电压的所述自动归零偏移电压。
3.根据权利要求2所述的方法,其中响应于所述比较器具有低模拟增益而增加所述斜波电压的所述自动归零偏移电压包括:
使所述斜波电压的所述自动归零偏移电压增加与所述比较器的NMOS输入晶体管的阈值电压成比例的量,其中所述NMOS输入晶体管为所述参考电压及位线输入。
4.根据权利要求1所述的方法,其中调整提供到所述比较器的所述参考电压输入的所述斜波电压的所述自动归零偏移电压包括:
响应于所述比较器具有高模拟增益而减小所述斜波电压的所述自动归零偏移电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其进一步包括:
启用所述比较器的共源共栅装置,其中所述共源共栅装置耦合在所述参考电压及位线输入与一对PMOS晶体管之间。
6.根据权利要求4所述的方法,其中响应于所述比较器具有高模拟增益而减小所述斜波电压的所述自动归零偏移电压包括:
减小所述斜波电压的所述自动归零偏移电压以致使所述比较器的NMOS输入晶体管的漏极到源极电压增加,其中所述NMOS输入晶体管为所述参考电压及位线输入。
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