[发明专利]在存储设备中读取数据的方法及非易失性存储设备

权利要求书

1.一种在非易失性存储设备中读取数据的方法，所述非易失性存储设备包括被布置在多个字线和多个位线的交叉点处的多个存储单元，所述方法包括：

接收对所述多个字线中的第一字线的读取请求；

对与所述第一字线相邻的第二字线执行读取操作；以及

基于从所述第二字线的存储单元读取的数据对所述第一字线执行读取操作，

其中，对所述第一字线执行读取操作包括：基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和非易失性存储设备的操作参数中的至少一个来调整在所述第一字线的读取操作期间被施加到所述第一字线的恢复读取电压的电平，

其中，所述存储单元中的每个存储3位数据，并且被编程为具有擦除状态和第一至第七编程状态中的一个，以及

其中，所述第一至第七编程状态分别具有逐渐变大的第一至第七阈值电压，

其中，当从所述第二字线的存储单元读取的数据具有所述第一编程状态时所述第一字线的恢复读取电压的电平比当从所述第二字线的存储单元读取的数据具有第七编程状态时所述第一字线的恢复读取电压的电平低。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二字线的存储单元中具有第一、第三、第五和第七编程状态的存储单元构成迫使字线耦合到所述第一字线的存储单元的侵略单元组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作参数是与在对所述存储单元执行的编程操作完成之后的时间相对应的保持时间，以及

其中，当所述第一字线的存储单元的数据具有所述第一编程状态时，所述恢复读取电压的电平随着所述第一字线的存储单元的保持时间增加而增加。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作参数是所述非易失性存储设备的操作温度，以及

其中，当所述第一字线的存储单元的数据具有所述第一编程状态时，所述恢复读取电压的电平随着操作温度增加而增加。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述第二字线的存储单元读取的数据用于确定所述第一字线的存储单元是否经历字线耦合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一字线执行读取操作包括：

通过基于从所述第二字线的存储单元读取的数据的编程状态和所述操作参数来调整至少两个恢复读取电压的电平，而从所述第一字线的存储单元读取数据。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在对所述第一字线执行读取操作之前，对与所述第一字线相邻的第三字线执行读取操作。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述第一字线的读取操作进一步基于从所述第三字线的存储单元读取的数据来执行。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二字线是相对于所述第一字线的上字线，以及所述第三字线是相对于所述第一字线的下字线。