[发明专利]电致发光器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种电致发光器件，包括阳电极和阴电极以及设置在所述阳电极与所述阴电极之间的发光单元层，所述发光单元层包括发光层，其特征在于：所述发光单元层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述发光层与所述阳电极之间，且其层叠结合在所述阳电极表面，所述空穴注入层包括二维半导体氧化物层，所述阳电极的材料为二维半导体电极材料，所述空穴注入层与所述阳电极形成异质结构；

其中，所述二维半导体氧化物层的材料为具有二维层状的晶型结构的二维半导体氧化物。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述二维半导体氧化物层是直接与所述阳电极的表面接触。

3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述二维半导体氧化物层的材料为α-MoO₃、α-WO₃和α-V₂O₅中的至少一种；和/或

所述二维半导体氧化物层的厚度为5nm-25nm。

4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述空穴注入层还包括二维金属硫族化物层，所述二维金属硫族化物层与所述二维半导体氧化物层层叠结合，且所述二维金属硫族化物层与阳电极表面层叠结合。

5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于：所述二维金属硫族化物层的厚度为10-45nm；和/或

所述二维金属硫族化物层的材料为MN_x，其中，所述M为Mo、W、V、Nb和Ta中的任一元素，所述N为S或Se，且x的取值范围满足：1x3。

6.根据权利要求1-5任一所述的电致发光器件，其特征在于：所述二维半导体电极材料为石墨烯、黑磷和NbSe₂中的至少任一种。

7.一种电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

在阳电极表面形成二维半导体氧化物层；或

在发光层表面或空穴传输层表面形成所述二维半导体氧化物层，然后在所述二维半导体氧化物层表面形成阳电极；

其中，所述阳电极材料为二维半导体电极材料；

所述二维半导体氧化物层的材料为具有二维层状的晶型结构的二维半导体氧化物。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：形成所述二维半导体氧化物层的方法如下：

采用化学气相沉积法在所述阳电极表面或发光层表面或空穴传输层表面沉积所述二维半导体氧化物层。

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于：还包括在所述阳电极与所述二维半导体氧化物层之间形成二维金属硫族化物层的步骤。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：形成所述二维金属硫族化物层的方法如下：

以二维金属硫族化物作为靶材，在所述阳电极表面或所述二维半导体氧化物层表面上磁控溅射形成所述二维金属硫族化物层。

11.根据权利要求1-6任一所述的电致发光器件在显示装置、照明装置中的应用。