[发明专利]使化学机械抛光垫的表面成形的方法

权利要求书

1.一种提供预调节型化学机械CMP抛光垫的方法，所述CMP抛光垫具有半径和一种或多种聚合物的CMP抛光层，所述CMP抛光层具有有效抛光的垫表面微纹理，所述方法包含：

用旋转式研磨机研磨所述CMP抛光层的表面，此时所述CMP抛光层就位固持在平台式压板表面上，所述旋转式研磨机具有平行于或基本上平行于所述平台式压板表面安置并且由多孔性研磨材料制成的研磨表面，以形成所述CMP抛光层的表面与所述多孔性研磨材料的研磨表面的界面，其中所得CMP抛光层具有0.01 µm到25 µm Sq的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述CMP抛光层通过真空就位固持在所述平台式压板表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述CMP抛光层的半径从其中心点延伸到其外周，并且所述旋转式研磨机的直径等于或大于所述CMP抛光层的所述半径。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转式研磨机定位成在研磨期间其外周直接搁置在所述CMP抛光层的中心上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转式研磨机和所述CMP抛光层和平台式压板在所述CMP抛光层的所述研磨期间各自旋转。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述平台式压板的旋转方向与所述旋转式研磨机相反。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述旋转式研磨机以50到500 rpm的速率旋转并且所述平台式压板以6到45 rpm的速率旋转。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转式研磨机在所述研磨期间定位于所述CMP抛光层和平台式压板上方，并且所述旋转式研磨机从刚好高于所述CMP抛光层表面的点以0.05到10微米/转的速率向下馈送，以使所述CMP抛光层的表面与所述旋转式研磨机的所述研磨表面的界面损耗并且研磨所述CMP抛光层的顶部表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述研磨之前，所述CMP抛光层通过模制所述聚合物并且切削所述模制聚合物来形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述研磨之前，CMP抛光垫通过模制所述聚合物并且切削所述模制聚合物形成所述CMP抛光层，随后在直径与所述CMP抛光层相同的子垫或底层的顶部上堆叠所述CMP抛光层来形成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述多孔性研磨材料是多孔性材料连续相的复合物，所述多孔性材料连续相已分散于其细粉状无孔磨料粒子内。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述多孔性研磨材料是多孔性材料连续相的复合物，所述多孔性材料连续相已分散于其细粉状金刚石粒子内。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在所述研磨期间，所述方法进一步包含将压缩惰性气体或空气间歇地或持续地吹入所述CMP抛光层的表面与所述旋转式研磨机的所述研磨表面的所述界面中，从而冲击所述多孔性研磨材料。