[发明专利]涂敷、显影方法和涂敷、显影装置

说明书

本发明在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。

技术领域

本发明涉及在基板涂敷含有金属的抗蚀剂形成抗蚀剂膜、对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影的涂敷、显影方法和涂敷、显影装置。

背景技术

在半导体装置的制造工艺中，进行包括通过对作为基板的半导体晶片(以下记为晶片)的表面涂敷抗蚀剂而进行的抗蚀剂膜的形成、抗蚀剂膜的曝光、以及通过曝光后的抗蚀剂膜的显影而进行的抗蚀剂图案的形成的光刻步骤。近年来进行了下述研究：例如使用极端紫外线(EUV)进行曝光时的抗蚀剂图案的分辨率变高、而且在光刻步骤后的蚀刻步骤中具有高耐蚀刻性，因此使用含有金属的无机类的抗蚀剂形成抗蚀剂膜。另外，进行了下述研究：为了在曝光时产生较多的二次电子来实现曝光的高灵敏度化，在有机类的抗蚀剂中也含有金属。

但是，半导体装置的制造工艺中的向晶片的非预定的部位的金属附着对半导体装置的电特性影响较大，因此，为了不引起这样的金属附着而进行严格管理。然而，在如上所述对含有金属的抗蚀剂膜进行显影时，包含溶解的抗蚀剂的显影液从晶片的正面绕到晶片的周端面和背面的周缘部，由此存在这些部位被金属污染的问题。而且，认为如上所述晶片的被污染的部位与蚀刻装置等的晶片的处理装置、晶片的搬送机构接触时，经由这些处理装置、搬送机构在该晶片后被搬送和处理的晶片也被金属污染。即，存在产生交叉污染的问题。此外，在专利文献1中记载有对晶片的周缘部供给药液而形成环状的膜的技术，但是并不能解决上述问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-62436号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是基于上述情况而提出的，其目的在于提供在对形成在基板的正面的包含金属的抗蚀剂膜进行显影时、或对基板涂敷包含金属的抗蚀剂形成抗蚀剂膜而在对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，能够抑制金属向基板的周端面和背面侧周缘部附着的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的涂敷、显影方法，包括：

在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；

对所述基板的正面供给显影液而对所述抗蚀剂膜进行显影的显影步骤；和

在所述显影步骤前，在没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部，形成防止与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。

本发明的另一方面的涂敷、显影方法，包括：

在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜，对该抗蚀剂膜进行曝光的步骤；

为了对所述抗蚀剂膜进行显影而对所述基板的正面供给显影液的显影步骤；和

在将所述显影液供给到所述基板的周缘部前至从该基板的正面除去该显影液为止的期间，对没有形成所述抗蚀剂膜的基板的周缘部、至少对周端面和背面侧周缘部，沿该基板的周边供给防止所述金属附着的液体的步骤。

本发明的涂敷、显影装置，包括：

在基板的正面涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成组件；