[发明专利]一种太阳能多晶电池P-N结的扩散工艺及前表面处理方法

权利要求书

1.一种太阳能多晶电池P-N结的扩散工艺及前表面处理方法，其特征在于：

包括以下步骤：

（1）制备减反射绒面：首先通过156.75*156.75的金刚线切割多晶硅片，然后用金属离子辅助湿法刻蚀；

（2）扩散：将制备好绒面的多晶硅片装载进入常压扩散炉进行扩散，扩散包括低表面源低温沉积，高温混合气体推进；

具体工艺为：

进舟：舟速控制为500-800mm/min，4-8min完成进舟，进舟的过程中保持炉管内持续通氮气，氮气流量为1-4 L/min，升温：温度设定在770-790℃，3-8min达到设定温度，升温过程中，向炉管内通氮气，氮气流量为4-12 L/min，氧化：在温度770-790℃条件下，向炉管内持续通1-6min的氮气，氧气混合气体，其中氮气流量为4-12 L/min，氧气流量为0.5-1.8 L/min；

低表面源低温沉积：在扩散炉中770-790℃，恒温5-13min，在该时间范围内向扩散炉内通入氮气、氧气、三氯氧磷的混合气体，所述三氯氧磷流量为1-2L/min,氧气的流量为0.2-0.8L/min，氮气的流量为6-12L/min；

高温混合气体推进：将扩散炉管内温度升温至840-860℃，持续通8-15min的氮气、氧气，所述氧气的流量为0.5L-5L/min，氮气的流量为8-15L/min；

降温：温度设定在700-780℃,0.5-10min完成达到设定温度，降温过程中持续向炉管内通氮气，氧气混合气体，其中氮气流量为4-12 L/min，氧气流量为0.5-1.2 L/min；

出舟：舟速控制为600-1200mm/min，4-8min完成出舟，在这过程中保持炉管内持续通氮气，氮气流量为1-4 L/min;

（3）前表面处理：其顺序依次为常规湿法刻蚀，化学表面处理，表面热处理。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能多晶电池P-N结的扩散工艺及前表面处理方法，其特征在于：所述步骤（3）中的化学表面处理，表面热处理具体工艺为：

化学表面处理：扩散完的多晶硅片出扩散炉后，经过常规湿法刻蚀在HF和HNO3的混合溶液处理后，装入抗酸碱腐蚀性的花篮中，再经过槽式清洗机进行表面处理，所述槽式清洗机由四个槽体组成，1#槽体为碱性溶液，所述碱性溶液为KOH，NH₄ OH，TMAOH，NaOH中的一种或者几种溶剂，每种溶剂的浓度控制在0.1%-3%，反应温度控制在25-80℃，反应时间控制在20-180s，2#槽体为呈酸性溶液，所述酸性溶液为HF，HNO₃ ，HCl中的一种或者多种溶剂，每种溶剂浓度控制在3%-15%以内，反应时间控制在30-200s，反应温度控制在18-25℃，3#槽体为DI，其中温度控制在25℃，反应时间控制在60-120s，4#槽体为氮气烘干槽，其中温度控制在75-95℃，反应时间控制在500-800s；

表面热处理：将经过化学表面处理后的多晶硅片，插放在石英舟器件上，放入高温炉中，进行表面热处理，高温炉中温度控制在550-850℃，时间控制在10-25min，压力0.1MPa，热处理过程中，持续通氮气和氧气的混合气体，氮气流量控制在8-15L/min，氧气流量控制在0.8-5L/min。