[发明专利]一种晶体管、钳位电路及集成电路有效
| 申请号： | 201710875844.4 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108039365B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;罗家俊;刘海南;曾传滨;卜建辉;陆江;赵海涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 电路 集成电路 | ||
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；
所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；
所述沟道区上设置有多晶硅，所述多晶硅为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，其中，所述栅极的第一端部区域为第一掺杂类型的重掺杂，所述栅极的除所述第一端部区域外的区域均为第二掺杂类型的重掺杂，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同，所述第一端部区域为所述栅极靠近所述漏区的区域；
在所述栅极未加电的条件下，所述沟道区与所述源区之间形成第一交叠区，所述沟道区与所述漏区之间形成第二交叠区；其中，所述第一端部区域全部覆盖所述第二交叠区。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为沟道宽度大于2000um的场效应晶体管BigFET。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
所述第一掺杂类型为N+掺杂，所述第二掺杂类型为P+掺杂；或者，
所述第一掺杂类型为P+掺杂，所述第二掺杂类型为N+掺杂。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述多晶硅和所述沟道区之间设置有二氧化硅层。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管用于钳位电路。
6.一种钳位电路，其特征在于，所述钳位电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括：
衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；
所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；
所述沟道区上设置有多晶硅，所述多晶硅为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，其中，所述栅极的第一端部区域为第一掺杂类型的重掺杂，所述栅极的除所述第一端部区域外的区域均为第二掺杂类型的重掺杂，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同，所述第一端部区域为所述栅极靠近所述漏区的区域；
在所述栅极未加电的条件下，所述沟道区与所述源区之间形成第一交叠区，所述沟道区与所述漏区之间形成第二交叠区；其中，所述第一端部区域全部覆盖所述第二交叠区。
7.如权利要求6所述的钳位电路，其特征在于，所述钳位电路为检测电路触发型钳位电路。
8.一种绝缘衬底上的硅SOI集成电路，其特征在于，所述电路包括用于静电保护的钳位电路，所述钳位电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括：
衬底、位于所述衬底上的氧化物层、位于所述氧化物层上的硅层；
所述硅层上设置有源区和漏区，所述源区和所述漏区之间为沟道区，其中，所述源区和所述漏区均为第一掺杂类型的重掺杂；
所述沟道区上设置有多晶硅，所述多晶硅为所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，其中，所述栅极的第一端部区域为第一掺杂类型的重掺杂，所述栅极的除所述第一端部区域外的区域均为第二掺杂类型的重掺杂，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不相同，所述第一端部区域为所述栅极靠近所述漏区的区域；
在所述栅极未加电的条件下，所述沟道区与所述源区之间形成第一交叠区，所述沟道区与所述漏区之间形成第二交叠区；其中，所述第一端部区域全部覆盖所述第二交叠区。
9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述钳位电路为检测电路触发型钳位电路。
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