[发明专利]高结晶质量石墨烯的制备方法在审
| 申请号： | 201710877794.3 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107895685A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 辛斌;尹巍;杨文耀;刘文波;夏继宏 | 申请（专利权）人： | 重庆文理学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 40216*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 质量 石墨 制备 方法 | ||
1.一种高结晶质量石墨烯的制备方法，其特征在于，包括：
选取SiC衬底；
刻蚀所述SiC衬底形成台面结构的预刻蚀衬底；
在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料；
热解所述3C-SiC材料，以完成所述高结晶石墨烯的制备。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiC衬底为4H-SiC衬底或者6H-SiC衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，预刻蚀所述SiC衬底形成台面结构的预刻蚀衬底，包括：
在所述SiC衬底形成预刻蚀图形；
利用ICP工艺或RIE工艺，在所述SiC衬底刻蚀台面形成台面结构的预刻蚀衬底。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述SiC衬底形成预刻蚀图形，包括：
在所述SiC衬底淀积金属及光刻胶；
利用标准显影工艺，采用掩膜版，刻蚀所述光刻胶，形成所述预刻蚀图形。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述台面结构沿横截面形成的多边形的边长为500μm～5mm，沿纵截面形成的深度为2～4μm。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiC衬底为4H-SiC衬底，相应地，在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料之前，还包括：
在所述预刻蚀衬底上同质外延4H-SiC材料，以在所述预刻蚀衬底表面形成晶面为(0001)的4H-SiC层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料，包括：
在晶面为(0001)的4H-SiC层表面生长晶面为(111)的3C-SiC材料。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiC衬底为6H-SiC衬底，相应地，在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料之前，还包括：
在所述预刻蚀衬底上同质外延6H-SiC材料，以在所述预刻蚀衬底表面形成晶面为(0001)的6H-SiC层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述预刻蚀衬底上生长3C-SiC材料，包括：
在晶面为(0001)的6H-SiC层表面生长晶面为(111)的3C-SiC材料。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，热解所述3C-SiC材料，包括：
在1300℃～1500℃温度下，利用SiC外延炉热解所述3C-SiC材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
