[发明专利]一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法。

背景技术

半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。

为了增加LED芯片的亮度，在制作过程中往往需要对LED芯片的衬底进行研磨减薄。现有的LED芯片研磨减薄工艺中,一般是采用工业蜡将其固定于陶瓷盘上然后再进行研磨减薄工艺。多余的工业蜡会对仪器及工艺造成不良的影响，故在研磨减薄前一般需要先去除多余的工业蜡。目前行业普遍使用的吸蜡纸是厚度3±2um，不吸水，不滞留颗粒，耐热温度约为80℃的工业用纸，这样的工业纸虽然造价低廉，但是不能有效的吸除多余的蜡，它只能起到将蜡与设备隔离的作用。因此还需要其它的刮蜡工艺，而此工序一般比较繁琐及耗时，不利于生产和成本的降低，为此，我们希望通过寻找替代品来改善吸蜡效果，并以此降低刮蜡时间，提高刮蜡效率。

发明内容

本发明旨在提供了一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法。

本发明提供如下技术方案：

一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法，包括以下步骤：

(1)提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成工业蜡，并将至少一个半导体晶圆通过所述工业蜡粘合于所述固定盘；

(2)将去离子水放入清洗槽中，加热到50-60℃，再将上述固定有半导体晶圆的固定盘置于配合超声波作用，进行5-10min超声处理，再烘干3-5min；

(3)对上述烘干的半导体晶圆的固定盘进行加压冷却处理，使多余的工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出，并被所述定性滤纸吸收，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。

所述定性滤纸的滞留粒径为6-10um。

所述固定盘为圆形的陶瓷盘。

所述采用硅胶垫下压的方式对所述半导体晶圆加压使所述工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过定性滤纸能在允许的时间内将蜡吸附，同时在高温情况下不会发生硬化变形，普通平压时不会发生破裂，各项参数指标性能都能满足现有生产要求。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法，包括以下步骤：

(1)提供一固定盘，于所述固定盘的预设位置形成工业蜡，并将至少一个半导体晶圆通过所述工业蜡粘合于所述固定盘；

(2)将去离子水放入清洗槽中，加热到50-60℃，再将上述固定有半导体晶圆的固定盘置于配合超声波作用，进行5-10min超声处理，再烘干3-5min；

(3)对上述烘干的半导体晶圆的固定盘进行加压冷却处理，使多余的工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出，并被所述定性滤纸吸收，最后去除所述定性滤纸以完成除蜡。

所述定性滤纸的滞留粒径为6-10um。

所述固定盘为圆形的陶瓷盘。

所述采用硅胶垫下压的方式对所述半导体晶圆加压使所述工业蜡从所述半导体晶圆周边挤出。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。