[发明专利]一种半导体晶圆的清洗方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供半导体晶圆，半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶；向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次；去除半导体晶圆正面的光刻胶；

(2)旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间；

(3)再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗；

(4)对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理，吹干处理采用的气体为氮气，所述吹干处理采用的温度范围为45℃～65℃，所述吹干处理采用的时间范围为80s～160s。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于：所述步骤(1)中涂布的光刻胶的厚度为200nm-2000nm。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于：所述步骤(3)中稀氢氟酸中氟化氢与水的体积比浓度为0.1％～5.0％，所述稀氢氟酸的清洗时间为5s～25s。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于：所述步骤(3)中去离子水的温度范围为18℃～25℃，去离子水的流速范围是5毫升/秒～12毫升/秒。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于：所述步骤(2)中兆声波发生器在晶圆表面停留的时间t与半导体晶圆的半径R之间的关系为：t＝k+m*R2，其中，k为常数，m为系数。

6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆的清洗方法，其特征在于：所述步骤(3)中向所述半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸时，所述半导体晶圆均速旋转。