[发明专利]一种高效率密钥流的并行输出电路在审

专利信息
申请号: 201710879395.0 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107483183A 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 翟江涛 申请(专利权)人: 武汉芯昌科技有限公司
主分类号: H04L9/06 分类号: H04L9/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430000 湖北省武汉市东湖开发*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高效率 密钥 并行 输出 电路
【权利要求书】:

1.一种高效率密钥流的并行输出电路,其特种在于:包括MSB移位寄存器电路、移位寄存器控制电路及记忆存储电路,加密电路所获得的密钥流连接N个D触发器组成的串转并移位寄存器电路的输入端,移位寄存器控制电路输出端连接移位寄存器电路输入端,移位寄存器输出端和记忆存储电路输出端为多位宽密钥输出。

2.根据权利要求1所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于,所述的MSB移位寄存器电路由N个D触发器组成,D触发器的输入端为密钥流源,输出端为输出密钥。

3.根据权利要求1或2所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于,所述的移位寄存器控制电路,移位寄存器控制电路由与非门和一个8进制计数器组成,控制电路的输出端连接到MSB移位寄存器电路的输入端。

4.根据权利要求1、2或3所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于:所述的记忆存储电路由一个寄存器和一个2选1选择器组成,记忆存储电路的输入端连接MSB的输出端和密钥流源,记忆存储电路的输出端为密钥输出。

5.根据权利要求4所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于:MSB移位寄存器电路、移位寄存器控制电路和记忆存储电路里面的时钟信号都有输入时钟提供。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉芯昌科技有限公司,未经武汉芯昌科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710879395.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top