[发明专利]一种高效率密钥流的并行输出电路在审
申请号: | 201710879395.0 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107483183A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 翟江涛 | 申请(专利权)人: | 武汉芯昌科技有限公司 |
主分类号: | H04L9/06 | 分类号: | H04L9/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效率 密钥 并行 输出 电路 | ||
1.一种高效率密钥流的并行输出电路,其特种在于:包括MSB移位寄存器电路、移位寄存器控制电路及记忆存储电路,加密电路所获得的密钥流连接N个D触发器组成的串转并移位寄存器电路的输入端,移位寄存器控制电路输出端连接移位寄存器电路输入端,移位寄存器输出端和记忆存储电路输出端为多位宽密钥输出。
2.根据权利要求1所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于,所述的MSB移位寄存器电路由N个D触发器组成,D触发器的输入端为密钥流源,输出端为输出密钥。
3.根据权利要求1或2所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于,所述的移位寄存器控制电路,移位寄存器控制电路由与非门和一个8进制计数器组成,控制电路的输出端连接到MSB移位寄存器电路的输入端。
4.根据权利要求1、2或3所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于:所述的记忆存储电路由一个寄存器和一个2选1选择器组成,记忆存储电路的输入端连接MSB的输出端和密钥流源,记忆存储电路的输出端为密钥输出。
5.根据权利要求4所述的高效率密钥流的并行输出电路,其特征在于:MSB移位寄存器电路、移位寄存器控制电路和记忆存储电路里面的时钟信号都有输入时钟提供。
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