[发明专利]IGBT型晶体管的控制方法及相关控制装置

权利要求书

1.一种IGBT型晶体管(14)的控制方法(100)，所述晶体管(14)包括一个栅极(G)，一个集电极(G)和一个发射极(E)，并且定义了导通状态和关断状态，在所述导通状态中所述集电极(C)和所述发射极(E)之间流有主电流(I_C)，在所述关断状态中所述集电极(C)与所述发射极(E)电隔离；

所述控制方法(100)包括在所述导通状态和所述关断状态之间的转换阶段，所述转换阶段包括产生额定电流，所述额定电流在所述晶体管(14)的所述栅极上的强度具有不同额定值(I_C1，……，I_C6)，至少所述额定值(I_C1，……，I_C6)中的某些是根据所述主电流(I_C)的瞬时导数(dI_C/dt)的符号被选择，每个所述额定值(I_C1，……，I_C6)在预定额定值(I_C1，……，I_C6)的集合中被选择。

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中所述转换阶段还包括在所述栅极(G)和所述发射极(E)之间电流电压(V_GE)的测量以及所述电压与预定电压门限(V_ON，V_OFF)的比较。

3.根据权利要求2所述的方法(100)，其中当在所述栅极(G)和所述发射极(E)之间的所述电压(V_GE)达到所述预定电压门限(V_ON，V_OFF)时，至少一个额定值(I_C1，……，I_C6)被选择。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中至少一个额定值(I_C1，……，I_C6)是根据上一个额定值(I_C1，……，I_C6)被选择的时刻开始经过的时间被选择的。

5.根据权利要求2所述的方法(100)，其中所述转换阶段是触发转换阶段或者关断转换阶段，所述触发转换阶段是所述晶体管(14)从所述关断状态转向所述导通状态，所述关断转换阶段是所述晶体管(14)从所述导通状态转向所述关断状态。

6.根据权利要求5所述的方法(100)，其中所述触发转换阶段包括连续实施以下步骤：

-触发的初始步骤(101)，在所述步骤中接收到所述晶体管(14)从所述关断状态转向所述导通状态的转换指令；

-转换的第一步骤(110)，在所述步骤中产生强度等于第一额定值(I_C1)的额定电流直到在所述栅极(G)和所述发射极(E)之间的所述电流电压(V_GE)达到预定触发电压门限(V_ON)，或者所述主电流(I_C)的所述瞬时导数(dI_C/dt)变为正，或者从所述转换的第一步骤(110)开始经过的时间达到预定第一时间门限(T₁)；

-转换的第二步骤(120)，在所述步骤中产生强度等于第二额定值(I_C2)的额定电流直到所述主电流(I_C)的所述瞬时导数(dI_C/dt)变为负，或者从所述转换的第二步骤(120)开始经过的时间达到预定第二时间门限(T₂)；

-转换的第三步骤(130)，在所述步骤中产生强度等于第三额定值(I_C3)的额定电流直到从所述转换的第一步骤(110)开始经过的时间达到预定触发时间门限(T_ON)。