[发明专利]一种低界面接触热阻的热界面及其制备方法在审
申请号: | 201710879754.2 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107634041A | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 闫金良;闫慧龙;李宏光 | 申请(专利权)人: | 鲁东大学 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;C09K5/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264025 山东省烟台*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 界面 接触 及其 制备 方法 | ||
1.一种低界面接触热阻的热界面,其特征是在两个铜圆的内表面沉积有界面层,两个界面层之间填充液态金属和氧化液态金属复合层。
2.根据权利要求1所述的一种低界面接触热阻的热界面,其特征在于界面层材料是金属镍、钼或钨,界面层厚度20-60nm;液态金属为Ga62.5In21.5Sn16,熔点10.7℃。
3.根据权利要求1所述的一种低界面接触热阻的热界面,其特征在于界面接触热阻0.27-0.77 mm2K/W。
4.一种低界面接触热阻的热界面制备方法,其特征是用数控铣床加工方形铜板成圆形镂空网络结构,用直流磁控溅射方法在铜圆表面室温沉积金属镍、钼或钨界面层,在界面层表面大气环境涂敷液态金属Ga62.5In21.5Sn16形成液态金属和氧化液态金属复合层,用力挤压两个叠放铜圆得到热界面。
5.根据权利要求4所述的一种低界面接触热阻的热界面制备方法,其特征在于圆形镂空网络结构有四个铜圆,铜圆表面粗糙度Ra为0.065µm。
6.根据权利要求4所述的一种低界面接触热阻的热界面制备方法,其特征在于在铜圆表面沉积界面层时溅射室的氩气压强0.26-1.0Pa,直流溅射功率30-48W。
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