[发明专利]一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路有效

专利信息
申请号: 201710880016.X 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107733425B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 李泽宏;曾潇;吴玉舟;万佳利 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 器件 驱动 电平 位移 电路
【权利要求书】:

1.一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路,其特征在于,包括双脉冲发生器(SUB1),其输入端作为所述电平位移电路的输入端;

第一电容配置端口,连接所述双脉冲发生器的第一脉宽调节端;

第二电容配置端口,连接所述双脉冲发生器的第二脉宽调节端;第一脉冲整形器(SUB2),其输入端连接所述双脉冲发生器(SUB1)的第一输出端;

第二脉冲整形器(SUB3),其输入端连接所述双脉冲发生器(SUB1)的第二输出端;

开关管回路,包括第一场效应管(MOS1)和第二场效应管(MOS2),第一场效应管(MOS1)的栅极连接第一脉冲整形器(SUB2)的输出端,第二场效应管(MOS2)的栅极连接第二脉冲整形器(SUB3)的输出端;

第一源极下拉电阻配置端口(MOS1_SRES),连接所述第一场效应管(MOS1)的源极;

第二源极下拉电阻配置端口(MOS2_SRES),连接所述第二场效应管(MOS2)的源极;

第一施密特触发器(SUB4),其输入端连接所述第一场效应管(MOS1)的漏极;

第二施密特触发器(SUB5),其输入端连接所述第二场效应管(MOS2)的漏极;

RS锁存器,其R输入端连接所述第二施密特触发器(SUB5)的输出端,其S输入端连接所述第一施密特触发器(SUB4)的输出端,其输出端作为所述电平位移电路的输出端;

第一漏极上拉电阻配置端口(MOS1_DRES),连接所述第一场效应管(MOS1)的漏极;

第二漏极上拉电阻配置端口(MOS2_DRES),连接所述第二场效应管(MOS2)的漏极;

所述双脉冲发生器(SUB1)的第一输出端和第二输出端分别输出第一窄脉冲信号和第二窄脉冲信号,所述第一窄脉冲信号和第二窄脉冲信号的宽度小于所述第一场效应管(MOS1)和第二场效应管(MOS2)的固有开通和关断时间。

2.根据权利要求1所述的用于栅控器件栅驱动的电平位移电路,其特征在于,所述电平位移电路还包括第一施密特触发器开通阈值配置端口(Vp1),连接所述第一施密特触发器(SUB4)的开通阈值调节端;

第二施密特触发器开通阈值配置端口(Vp2),连接所述第二施密特触发器(SUB5)的开通阈值调节端;

第一施密特触发器关断阈值配置端口(Vn1),连接所述第一施密特触发器(SUB4)的关断阈值调节端;

第二施密特触发器关断阈值配置端口(Vn2),连接所述第二施密特触发器(SUB5)的关断阈值调节端;

浮地端(VS),连接所述第一施密特触发器(SUB4)、第二施密特触发器(SUB5)和RS锁存器的接地端,以及所述第一施密特触发器关断阈值配置端口(Vn1)和第二施密特触发器关断阈值配置端口(Vn2);

自举电压端(VB),连接所述第一施密特触发器(SUB4)、第二施密特触发器(SUB5)和RS锁存器的电源端;

电源电压端(VDD),其电压值为低压端供电电压(VDC),连接所述双脉冲发生器(SUB1)、第一脉冲整形器(SUB2)和第二脉冲整形器(SUB3)的电源端;

以及地端(GND),连接所述双脉冲发生器(SUB1)、第一脉冲整形器(SUB2)和第二脉冲整形器(SUB3)的接地端。

3.根据权利要求2所述的用于栅控器件栅驱动的电平位移电路,其特征在于,所述自举电压端(VB)连接自举电压,即所述电平位移电路的目标电压;所述浮地端(VS)连接所述电平位移电路的目标电压的参考点。

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