[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

包括说明书、附图和摘要的、于2016年9月30日提交的日本专利申请No.2016-192872的公开的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体器件，并且例如，涉及其中与导线耦合的引线的一部分被树脂密封体密封的半导体器件。

背景技术

日本未审专利申请公开No.2005-26294描述了其中与导线耦合的引线的一部分被树脂密封体密封的功率半导体器件。

日本未审专利申请公开No.Hei 8(2011)-264697描述了其中在引线的结合表面侧形成金属膜并且将导线结合到从金属膜暴露的引线的一部分的半导体器件。

发明内容

本申请的发明人正在研究提高半导体器件的性能。例如，半导体器件的部件包括诸如引线框架的金属构件和密封半导体芯片的树脂密封体。因为树脂密封体和金属构件之间的线性膨胀系数差异大，所以因该线性膨胀系数差异造成热应力。已发现，当作为用于改进半导体器件的性能的措施的部分使产品使用环境温度的范围更宽时，上限温度(例如，大约260℃)下的热应力变得较大，因此在树脂密封体和金属构件之间的结合界面处出现由热应力造成的剥离。另外，在半导体芯片和引线经由导线彼此电耦合的情况下，当在导线和引线之间的耦合部分附近发生以上剥离时，剥离对半导体器件的电稳定性产生不利影响。

根据本说明书和附图，将清楚其他问题和新颖特征。

根据实施例的一种半导体器件包括经由导线与半导体芯片电耦合的引线。用树脂密封体密封引线的内部部分、半导体芯片和导线。将导线结合到引线的内部部分的导线结合部分的一个表面。在与这一个表面相反的引线的内部部分中的表面上形成金属膜。在导线结合部分的一个表面上没有形成金属膜。

根据实施例，可以提高半导体器件的性能。

附图说明

图1示意性地例示了根据实施例的半导体器件中包括的电路的示例。

图2是例示了图1中例示的场效应晶体管的主要部分的结构示例的剖视图，例示了结构示例。

图3是图1中例示的半导体器件的顶视图。

图4是图3中例示的半导体器件的底视图。

图5是例示了从中去除了密封体的图3中例示的半导体器件的内部结构的透明平面图。

图6是沿着图5中的线A-A截取的剖视图。

图7是沿着图5中的线B-B截取的剖视图。

图8是沿着图5中的线C-C截取的剖视图。

图9是例示了实施例的研究例的半导体器件的引线和导线之间的耦合部分的放大平面图，而耦合部分被放大。

图10是沿着图9中的线A-A截取的放大剖视图。

图11示意性地例示了用于测量表1中列出的结合强度的方法。

图12是当从下表面侧看时图5中例示的半导体器件的用作栅端子的引线和导线与其周围部分之间的结合部分的放大平面图。

图13是沿着图12中的线A-A截取的放大剖视图。

图14是沿着图12中的线B-B截取的放大剖视图。

图15是当从下表面侧看时图5中例示的半导体器件的三条引线和导线与其周围部分之间的结合部分的放大平面图。

图16例示了参照图1至图15说明的半导体器件的制造步骤的概况。

图17是例示了图16中例示的引线框架准备步骤中准备的引线框架的一部分的放大平面图。

图18是当从下表面侧看时图17中例示的器件形成部分中的一个的放大平面图。

图19是沿着图18中的线A-A截取的放大剖视图。

图20是例示了其中通过在图16中例示的材板形成步骤中进行金属冲压来将材板成形的状态的示例的放大立体图。

图21是例示了其中通过在图16中例示的金属膜形成步骤中在材板的下表面侧的一部分上形成金属膜的状态的放大平面图。

图22是例示了其中通过在图16中例示的图案化步骤中进行金属冲压来去除材板的一部分的状态的放大剖视图。

图23是例示了其中在图19中例示的管芯焊盘上安装半导体芯片的状态的放大剖视图。

图24是例示了其中图23中例示的半导体芯片和引线经由导线彼此电耦合的状态的放大平面图。

图25是例示了其中形成密封图24中例示的半导体芯片和导线的密封体的状态的放大平面图。