[发明专利]钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺在审
申请号: | 201710880572.7 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107610861A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 刘润海;刘月玲 | 申请(专利权)人: | 北京京磁电工科技有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F1/00 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 101204 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钕铁硼 磁体 剩磁 制备 工艺 | ||
1.一种钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺,其特征在于,包括:
在混粗粉过程中,添加液体粉末改善剂,所述液体粉末改善剂为由正己烷和葵酸甲酯混合而成,其中,正己烷和葵酸甲酯的质量比为50~20:1。
2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺,其特征在于,所述液体粉末改善剂在粗粉中的质量比为0.5‰-5‰。
3.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺,其特征在于,在烧结过程中,烧结温度为1020℃~1050℃,保温时间为180~600min。
4.如权利要求1所述的钕铁硼磁体的高剩磁制备工艺,其特征在于,包括:
步骤一、甩片:通过真空熔炼方法将配好的原材料中频感应加热成熔化金属,然后浇注到旋转的水冷冷却辊上,获得甩片,其中,甩片为片状的具有柱状晶结构的快淬钕铁硼合金,甩片中柱状晶结构的质量比例在95%以上,厚度为0.15-0.45mm;
步骤二、氢破碎:将所述甩片放入氢破炉中,通入氢气,使所述甩片爆裂成30-300μm的疏松粉末,直至不再吸氢;
步骤三、中碎:设置脱氢温度480~600℃,进行脱氢加热,氢破炉的转动频率在25~30Hz,脱氢时间在4~8h,从而制备得到粗粉;
步骤四、混粗粉:混粗粉后得到中间粉体;
步骤五、气流磨:加入气流磨用高压氮气将所述中间粉体磨成粒度均匀且微米级的细粉;
步骤六、混细粉:在三维混粉机中向所述细粉中加入抗氧化剂,混合2-3h;
步骤七、取向成型:在自动压机中进行充磁取向,压成密度3.9~4.3g/cm3的压坯,压型时不喷脱模剂;再采用冷等静压机压紧所述压坯,使所述压坯的密度达到4.4-4.6g/cm3;
步骤八、烧结:将生坯装入真空烧结炉,抽真空至真空度到0.3Pa以下,升温至1020℃~1050℃液相烧结,保温180~600min,停止加热,充氩气至85~100Kpa,开风机冷却至60℃~80℃出炉,得到烧结磁体;
步骤九、回火。
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