[发明专利]双面显示器及其制造方法有效
申请号: | 201710882016.3 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107680989B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 罗国隆;杨文玮 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种双面显示器,具有多个子像素设置于一基板上,其特征在于,各该子像素包含:
一第一主动元件,设置于该基板上;
一第一发光元件,位于该基板上,其中该第一发光元件至少包含一第一电极、一第二电极以及一第一发光层,该第一发光层设置于该第一电极与该第二电极之间,且该第二电极电性连接该第一主动元件;
一图案化光刻胶层,设置于该基板上,其中该图案化光刻胶层覆盖部份该第一发光元件,该图案化光刻胶层具有一第一开口与一第二开口,且于一垂直投影方向上该第一开口的投影与该第一发光元件的投影部份重迭;
一反射电极,设置于该基板上,其中该反射电极覆盖该第一发光元件、该图案化光刻胶层与暴露于该第二开口的该基板,且该反射电极经由该第一开口电性连接该第一发光元件的该第一电极;
一第二发光元件,设置于该第二开口的该反射电极上,其中该第二发光元件至少包含一第三电极、一第四电极以及一第二发光层,且该第二发光层设置于该第三电极与该第四电极之间;
一保护层,设置于该基板上,其中该保护层覆盖该反射电极与该第二发光元件,该保护层具有一第三开口,且于该垂直投影方向上该第三开口的投影与该第二发光元件的投影部份重迭;以及
一第一导电电极,设置于该保护层上,其中该第一导电电极覆盖该保护层,且该第一导电电极经由该第三开口电性连接该第二发光元件的该第四电极。
2.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,该图案化光刻胶层具有多个侧表面,该些侧表面中的其中的一个侧表面与该基板的一上表面之间具有一锐角,且该锐角介于40゜~70゜。
3.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,于该垂直投影方向上该第一主动元件的投影与该第一发光元件的投影不重迭。
4.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,各该子像素更包括:
一绝缘层,覆盖于该第一主动元件与该基板,该绝缘层具有一第一接触孔,该第一主动元件经由该第一接触孔电性连接该第一发光元件的该第二电极,且该图案化光刻胶层设置于该绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的双面显示器,其特征在于,各该子像素更包括:
一第二主动元件,设置于该基板上,该绝缘层覆盖该第二主动元件,且该绝缘层更具有一第二接触孔,该第二主动元件通过该第二接触孔与该第一导电电极电性连接该第二发光元件的该第四电极。
6.根据权利要求5所述的双面显示器,其特征在于,于该垂直投影方向上该第二主动元件的投影与该第一发光元件的投影不重迭。
7.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,该反射电极为共通电极或浮接电极。
8.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,该第一导电电极传递一第一电位。
9.根据权利要求1所述的双面显示器,其特征在于,至少一个该子像素包括至少一发光区以及邻接该发光区的至少一穿透区,该第一发光元件及该第二发光元件位于该发光区。
10.根据权利要求9所述的双面显示器,其特征在于,各该子像素更包括:
一光调变元件,设置于该穿透区的该基板上,该光调变元件包含一第二导电电极、一第三导电电极以及一光调变层,该光调变层设置于该第二导电电极与该第三导电电极间,且该光调变层包含液晶层、电致变色层或电湿润层。
11.根据权利要求10所述的双面显示器,其特征在于,各该子像素更包括:
一开关元件,设置于该基板上,且位于该穿透区;以及
一绝缘层,覆盖该第一主动元件、该开关元件与该基板,该绝缘层具有一第一接触孔与一通孔,该第一主动元件经由该第一接触孔电性连接该第一发光元件的该第二电极,该开关元件经由该通孔电性连接该光调变元件的该第二导电电极,且该图案化光刻胶层设置于该绝缘层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的