[发明专利]一种近红外到可见光上转换器及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外到可见光上转换器，其特征在于，包括：依次相连的玻璃片、栅电极、绝缘层、空穴传输层、空穴产生层、诱导层、近红外光敏层、空穴注入层、可见光发光层、电子传输层、电极修饰层、源漏电极。

2.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述近红外光敏层，由弱外延生长工艺制备。

3.根据权利要求2所述的上转换器，其特征在于，所述近红外光敏层的材料为：钛菁类材料。

4.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述空穴传输层的材料为：空穴迁移率大于0.5cm²/V·s的材料。

5.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述空穴产生层的材料为：功函数在5eV以上的材料。

6.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述电子传输层的材料为：电子迁移率大于1×10^-3cm²/V·s的材料。

7.一种如权利要求1～6任意一项所述近红外到可见光上转换器的制备方法，其特征在于，包括：

选用带有所述栅电极的所述玻璃片作为衬底；

通过溶液旋涂法在所述衬底上制备所述绝缘层；

采用热蒸发工艺在所述绝缘层上依次制备所述空穴传输层、所述空穴产生层、所述诱导层、所述近红外光敏层、所述空穴注入层、所述可见光发光层、所述电子传输层、所述电极修饰层和所述源漏电极；

在手套箱中对制备好的器件进行封装。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述带有所述栅电极的所述玻璃片的制备过程为：

经过光刻得到位于所述玻璃片中部的所述栅电极，所述栅电极为条形图案；

对带有所述栅电极的所述玻璃片依次通过三氯乙烯，丙酮，乙醇和去离子水超声清洗。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述绝缘层材料包括聚乙烯吡咯烷酮和聚苯乙烯双层聚合物；

聚乙烯吡咯烷酮溶液的旋涂成膜工艺为：转速2500转/分钟，时间40秒，200度退火1小时；

聚苯乙烯溶液的旋涂成膜工艺为：转速3000转/分钟，时间30秒，85度退火1小时。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述手套箱的封装过程为：

使用紫外固化胶将盖玻片粘在所述源漏电极的表面，在365nm紫外光下照射1分钟，所述手套箱内的水氧含量小于0.1ppm。