[发明专利]一种盆栽兰花专用活性栽培基质的制备方法在审
申请号: | 201710882140.X | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN107439259A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 韩建秋;周玉梅;韩月 | 申请(专利权)人: | 上海应用技术大学 |
主分类号: | A01G9/10 | 分类号: | A01G9/10;C05F17/00;C05G3/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200235 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 盆栽 兰花 专用 活性 栽培 基质 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于园艺技术领域;具体涉及一种盆栽兰花专用活性栽培基质制备方法。
背景技术
兰花是兰科植物的总称,是最受欢迎的花卉之一,具有很高的观赏价值和经济价值,深受群众喜爱。兰花是菌根型植物,生活方式十分独特,兰根真菌能将土壤中较复杂的碳水化合物分解为简单的小分子碳水化合物供兰花根系吸收,同时,兰根真菌可以改良兰花植株中某些生长缺陷和不足,激发了一系列的代谢过程,引导营养物质的迁移,从而促进了兰花植株的生长。如果没有良好的根系真菌的附着,兰花的生长就会较差。因而,在兰花栽培过程中,尤其是盆栽,接种兰花根系真菌尤为重要。
然而,兰根真菌是一种内生型真菌,离开兰花根系就会很快死亡,无法进行简单的真菌富集和接种到新的兰花根系上,但兰根真菌又能够通过根系表面外生菌丝同土壤中的其他植物根系或死的有机物相连。本发明针对兰根真菌的生长特点,利用常见原料,生产出用于兰花栽培的活性菌根型栽培基质,解决了盆栽兰花生长较差的问题,具有成本低廉、易于操作的特点。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足,本发明为了解决了兰花盆栽生长状况较差的问题,利用常见原料,通过富集和接种兰根真菌,生产出盆栽兰花专用活性栽培基质,为盆栽兰花的良好生长创造了有利条件。本发明提供一种盆栽兰花专用活性栽培基质制备方法。
本发明提供一种盆栽兰花专用活性栽培基质制备方法,所述方法包括如下步骤:
步骤一,菌源采集:取盆栽时间为1年以上、生长良好品种不同的兰花多盆,各取其表层5cm以下的潮湿土壤,将其放入置于阴凉环境的容器中,搅拌,使其混合均匀,得菌源土;
步骤二,畜禽粪便准备:收集新鲜畜禽粪便,去除硬性杂物;
步骤三,饼料处理:将花生饼、芝麻饼或豆饼进行粉碎、筛选;
步骤四,混料:将所述畜禽粪便和所述饼料混合,使其混合均匀,得混合料;
步骤五,发酵:将所述混合料堆积在一起或放置在密闭容器中,用塑料薄膜覆盖严实,发酵;
步骤六,暴晒:将发酵好的混合料放置在硬化地面上,摊成薄层,在日光下晾晒,间隔一段时间翻动一次,避免雨淋、水浸,得含水量小于20%的第一有机肥;
步骤七,粉碎:将第一有机肥放入粉碎机中粉碎,然后过3-5mm筛;
步骤八,调节pH值:向第一有机肥中加入硫酸亚铁或过磷酸钙,调节有机肥pH值至5.5-6.5,得第二有机肥;
步骤九,活性菌增殖:将所述菌源土、第二有机肥、蛭石或珍珠岩混合,然后铲翻多遍,使其混合均匀,然后将其放置在温度15-35℃、相对湿度50-80%的环境中3-5天,得到增殖后的菌源土;
步骤十,配料:将所述增殖后的菌源土、草炭和园土按照重量比1:2-4:2-4进行混合,翻铲多遍,使其混合均匀,得到兰花专用活性栽培基质。
优选地,步骤一中,所述潮湿土壤为带有新鲜兰花根系的潮湿土壤。
更优选地,步骤一中,每份潮湿土壤的所取量为50-500g。
优选地,步骤一中,所述搅拌次数为3-5遍。
优选地,步骤三中,经筛选后的饼料粒径为1-3mm。
优选地,步骤四中,所述畜禽粪便与饼料按重量比为1:1.5-2.5进行混合,翻动3-5遍。
优选地,步骤五中,所述发酵,条件为:在25-35℃的环境中自然发酵30-90天。
优选地,步骤六中,所述薄层的厚度为3-5cm,所述晾晒时间为:5-10天,期间每隔1-3天翻动一次,避免雨淋、水浸,使其含水量小于20%。
优选地,步骤八中,所述硫酸亚铁或过磷酸钙与有机肥的重量百分比为:0.1-0.5%。
优选地,步骤九中,所述菌源土、第二有机肥与蛭石或珍珠岩的重量比为1:1-3:3-5。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
(1)本发明盆栽兰花专用活性栽培基质制备方法,针对兰花的生长特点,利用常见原料,大大降低了成本;
(2)本发明将兰花根菌进行富集和接种,生产出用于兰花盆栽的专用活性基质,解决了盆栽兰花生长较差的问题,具有成本低廉、易于操作的特点。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
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