[发明专利]一种氮化硅陶瓷浆料和多孔氮化硅陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)将氮化硅陶瓷浆料进行光固化成型，得到成型坯体；在所述光固化成型中，控制单层厚度为20～100μm，曝光量为30～400mJ/cm²；

b)将所述成型坯体进行加热脱脂，得到脱脂坯体；

c)将所述脱脂坯体进行烧结，得到所述多孔氮化硅陶瓷；

其中，所述烧结包括：在保护气氛条件下，将所述脱脂坯体以5℃/min的升温速率升温至800℃，接着以0.5～3℃/min的升温速率升温至1400～1800℃保温1～5h；

所述氮化硅陶瓷浆料包括以下重量组份：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂为MgO、Al₂O₃和Re₂O₃中的一种或多种；

其中，Re₂O₃＝Y₂O₃、La₂O₃、Ce₂O₃、Pr₂O₃、Nd₂O₃、Pm₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Gd₂O₃、Tb₂O₃、Dy₂O₃、Ho₂O₃、Er₂O₃或Tm₂O₃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光固化树脂选自1,6-己二醇二丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、甲基丙烯酸羟乙酯、季戊四醇三丙烯酸酯和三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光引发剂选自2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦和2-异丙基硫杂蒽酮中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热脱脂包括：

在真空或保护气氛条件下，将所述成型坯体以0.5～2℃/min的升温速率升温至280℃并保温1～3h，接着以1～2℃/min的速率升温至600℃并保温1～3h，再以0.5～2℃/min的速率升温至800～1000℃并保温1～5h，得到所述脱脂坯体。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤c)在0.1-200MPa的气压下进行。

7.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述保护气氛为氨气气氛、氮气气氛或氩气气氛。