[发明专利]一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器在审
| 申请号： | 201710882607.0 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560465A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李召松;徐洋;王鹏飞;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放大器 主振荡 半导体功率放大器 半导体 单片集成 种子激光 主振荡器 功率放大 热效应 多模干涉耦合器 半导体激光器 饱和输出功率 功率放大器 面积增加 耦合效率 单纵模 基横模 衬底 源区 光纤 | ||
1.一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器，其特征在于，包括：
基于半导体激光器的主振荡器，用于产生基横模和单纵模的种子激光；
基于1x1多模干涉耦合器的半导体功率放大器，用于对所述种子激光进行功率放大。
2.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述半导体功率放大器包括一个或者多个级联的1x1多模干涉耦合器。
3.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述半导体功率放大器采用普通干涉1x1多模干涉耦合器。
4.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述半导体功率放大器采用对称干涉1x1多模干涉耦合器。
5.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述主振荡器包括第一有源层，所述半导体功率放大器包括第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层具有相同的量子阱结构。
6.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述主振荡器包括第一有源层，所述半导体功率放大器包括第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层具有不同的量子阱结构，所述第一有源层和所述第二有源层采用对接生长技术相接。
7.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述主振荡器包括第一有源层，所述半导体功率放大器包括第二有源层，所述第一有源层有一个，所述第二有源层有两个，所述第一有源层和所述第二有源层采用叠层量子阱技术相接。
8.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述半导体功率放大器的输出端为弯曲波导或者直波导。
9.根据权利要求1所述的主振荡放大器，其特征在于，所述主振荡器采用分布反馈式半导体激光器或者分布式布拉格反射式半导体激光器。
10.根据权利要求1至9任一项所述的主振荡放大器，其特征在于，所述主振荡器和所述半导体功率放大器基于InP衬底或者GaAs衬底。
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