[发明专利]一种闪存制造方法在审
| 申请号： | 201710882950.5 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107658300A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王鹏;刘宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 制造 方法 | ||
1.一种闪存的制造方法，其特征在于，包括：
提供前端结构，所述前端结构形成有有源区和隔离结构；以及
对所述前端结构进行退火，退火温度为1050～1200摄氏度，退火时间为10-50分钟。
2.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，所述退火温度为1080～1120摄氏度，退火时间为25-35分钟。
3.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，所述退火处理是在氮气环境下进行的。
4.如权利要求1所述的闪存制造方法，其特征在于，所述提供前端结构，所述前端结构形成有有源区和隔离结构的步骤包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有多个有源区；
在所述半导体衬底上刻蚀形成沟槽将所述多个有源区隔离开；以及
向所述沟槽填充隔离氧化物以形成所述隔离结构。
5.如权利要求4所述的闪存制造方法，其特征在于，所述半导体衬底上的多个有源区采用自对准工艺形成。
6.如权利要求4所述的闪存制造方法，其特征在于，刻蚀形成所述沟槽之前，在所述半导体衬底上淀积牺牲层。
7.如权利要求6所述的闪存制造方法，其特征在于，所述牺牲层包括从下至上依次层叠的氧化层和氮化层。
8.如权利要求4所述的闪存制造方法，其特征在于，所述沟槽由反应离子刻蚀而成。
9.如权利要求4所述的闪存制造方法，其特征在于，向所述沟槽填充隔离氧化物之前，先在所述沟槽的底部和侧壁淀积一层内衬氧化层。
10.如权利要求4所述的闪存制造方法，其特征在于，所述隔离氧化物的填充采用高密度等离子体化学气相淀积法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
