[发明专利]一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法在审
| 申请号： | 201710883648.1 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107655408A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李强;惠勇凌;姜梦华;雷訇 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01B11/00 | 分类号： | G01B11/00;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 晶体 质量 表面 加工 表征 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法，其特征在于，采用表面平整度、粗糙度、微凸起间距三个参量共同作为表征晶体表面加工质量的参量；即在晶体制备过程中，除了目前常规的表面平整度、粗糙度之外，还将晶体表面微凸起间距作为表征晶体表面加工质量的一个新的参量，三个参量共同约束晶体表面宏观几何波度和微观纵向、横向的形貌。
2.按照权利要求1所述的一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法，其特征在于，制备键合晶体时，采用表面平整度、粗糙度、微凸起间距三个参量作为表征晶体表面加工质量的参量，将三个参量作为为提高晶体键合质量需要参考的健合前晶体表面加工的参数。
3.按照权利要求1所述的一种用于提高晶体键合质量的晶体表面加工质量表征方法，其特征在于，晶体键合包括同种材料键合或异种材料键合。
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