[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201710884341.3 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN109557729B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 黄中浩;王骏;赵永亮;林承武;闵泰烨 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;H01L41/047;H01L41/107;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

发明提供一种开关单元、显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,该开关单元的导通由金属间的欧姆接触直接形成,不受有源层影响,不存在受限于有源层而导致的开关性能不稳定问题,保证显示品质。该开关单元包括第一电极、第二电极、第三电极;第四电极;压电材料层;连接电极;连接电极设置在第一电极上方且与其电性绝缘;或者设置在第四电极上方且与其电性绝缘;第二、第三电极在连接电极所在平面内的正投影与连接电极有重叠;沿连接电极的面方向的垂直方向,第二、第三电极与连接电极之间具有一预设间距。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种开关单元、显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前显示产品主要由TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay,薄膜晶体管-液晶显示)产品和AMOLED(Active Matrix Organic Light-EmittingDisplay,有源有机电致发光显示)产品这两大类构成。

其中,TFT-LCD是目前最成熟的显示技术,主要利用非晶硅、低温多晶硅、半导体氧化物(例如氧化铟镓锌)等半导体材料与栅极、源极、漏极形成绝缘栅型场效应管,在栅极扫描线和信号线的控制下,对像素电容进行充放电,控制每个像素的液晶的场致偏转,以达到显示的目的。TFT-LCD的优点是工艺成熟、良率高、使用寿命长;缺点是Panel(面板)透过率低、被动发光、功率消耗大、受液晶偏转的限制像素响应时间长。

AMOLED是目前较为前沿的显示技术,主要利用高迁移率的低温多晶硅或氧化物半导体场效应管TFT形成多级的驱动电路,将驱动电流加载到有机发光材料的两端的阴极、阳极上,阴极(通常为金属电极)中的电子通过电子传输层(Electron TransportationLayer, ETL)到达有机发光层(Emitting Layer,EL);同时,阳极(通常为透明电极ITO,Indium Tin Oxide,氧化铟锡)中的空穴通过空穴传输层(Hole Transportation Layer,HTL)到达EL层。电子和空穴在EL层中复合,产生处于激发态的激子并激发有机发光分子的电子跃迁到激发态。当有机发光分子的激发态电子跃迁回基态时,将以发射电磁波(光子)的形式释放能量,实现发光。AMOLED的优点是主动发光、可支持柔性显示、对比度高、响应时间短、且发光效率较高、功率消耗小。通常每个像素单元中的第一级的TFT用于寻址,在寻址开态信号下对第二级TFT的栅极电容和存储电容进行充电,栅极电容控制第二级TFT打开,将驱动电流信号加载到有机发光像素结构中实现发光,同时在非寻址信号下,存储电容用于保持第二级 TFT的栅压。由于OLED发光强度受电流的影响较大,因此第二级 TFT的栅压变化对AMOLED的显示稳定性和均一性影响较大。

以上各类显示技术均需要依靠半导体TFT对像素的显示进行控制,受限于有源层中载流子迁移率的限制,TFT的开态电流有限;同时,TFT的关态电流也会受到有源层的漏电流影响不能实现完全的关态。此外,以窄禁带宽度的硅系半导体作为有源层时,硅系半导体受光照和温度等环境影响稳定性较差。由于TFT的开关性能容易受到半导体的载流子迁移率、光敏感或热敏感特性等因素的影响,导致电学不良,影响TFT开关性能的稳定性,从而降低显示品质。

发明内容

鉴于此,为解决现有技术的问题,本发明的实施例提供一种开关单元、显示面板及其制备方法、显示装置,该开关单元的导通由金属间的欧姆接触直接形成,不受传统TFT器件中有源层半导体材料的影响,不存在由于有源层光敏、热敏不稳定、载流子迁移率较低而导致的开关性能不稳定的问题,从而可保证显示面板的良好显示品质。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710884341.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top