[发明专利]一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710884610.6 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107578871A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 洪群峰;郝忠彬;韩相华;孙永阳;王占洲 申请(专利权)人: 浙江东阳东磁稀土有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;B22F3/02;C22C38/00;C22C38/10;C22C38/32;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/12;H02K15/00
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 代理人: 尉伟敏
地址: 322118 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 辐射 取向 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,所述方法包括以下步骤:

(1)快淬粉制备:熔炼原料,得到铸锭,将铸锭加热熔融,向冷却辊喷熔液,制得快淬带,经破碎及均质化处理后,进行磁选和筛选,得到颗粒粒度为50~150μm的快淬粉;

(2)热压工艺:将快淬粉放入热压模具中,使用热压模具进行热压,热压温度600~850℃,压力50~500MPa,保温时间10~300s,制备各向同性磁体;

(3)热变形工艺:将制得的各向同性磁体放入热变形模具中热变形,变形温度700~900℃,压力50~500MPa,保温时间10~300s,保压时间1~100s,制备出辐射取向磁瓦。

2.根据权利要求1所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,所述的热压模具和热变形模具均包括上冲头和下冲头,所述上冲头上设有凸面,下冲头上设有凹面,所述凸面和凹面的弧度相同。

3.根据权利要求2所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,所述下冲头中心点上设有定位凹槽。

4.根据权利要求3所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,所述定位凹槽直径为1~3mm。

5.根据权利要求1所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,步骤(2)中制得的各向同性磁体上弦面中心设有凸点,所述凸点与定位凹槽适配。

6.根据权利要求1所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,步骤(1)中,加热熔融温度为1000~1500℃;冷却辊的速度控制在10~30m/s,保护气氛为Ar。

7.根据权利要求1所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,步骤(1)中,组成所述原料的各组分配及重量份为:

Nd:20~22、Pr:0.3~0.5、Fe:73~75、Co:0.5~0.7、B:0.8~1.1、Al:0.3~0.5、Cu:0.05~0.15和Nb:1~1.2。

8.根据权利要求7所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,步骤(1)中,组成所述原料的各组分配及重量份为:

Nd:21.452、Pr:0.42、Fe:74.294、Co:067、B:0.98、Al:0479、Cu:0.11和Nb:1.159。

9.根据权利要求1所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,步骤(2)中,达到所述热压温度的升温时间为3~15min。

10.根据权利要求1至9任意一项所述的一种高性能辐射取向磁瓦的制备方法,其特征是,步骤(2)中,达到所述变形时间的温度为3~15min。

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