[发明专利]蚀刻机风刀的清洗机构及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻机，特别是一种蚀刻机风刀的清洗机构及其控制方法。

背景技术

在LTPS(低温多晶硅技术LTPS、Low Temperature Poly-silicon)及OLED(有机电致发光)ARRAY(阵列基板)的ETCH(蚀刻)工艺中，数道制程涉及ITO蚀刻(氧化铟锡蚀刻)工序。在该道工序中业内普遍使用草酸药液来做蚀刻药液，但是草酸有一个特点就是易结晶。为了驱赶基板表面的药液，蚀刻机台在药液段到水段的中间加装A/C(风刀)，风刀易由于草酸结晶而发生堵塞。当药液段出口A/C发生堵塞时势必造成A/C赶液效果不佳，基板携出药液量增加从而造成药液的浪费。针对该问题，业内普遍采用人工清洁A/C的方法来改善A/C堵塞的问题。该A/C每日需要清洁数次，这将极大的占用有限的人力资源同时也降低了机台的自动化程度。同时手动操作清洁结晶也存在因操作不当造成机台故障的风险。

发明内容

为克服现有技术的不足，本发明提供一种蚀刻机风刀的清洗机构及其控制方法，使蚀刻机对风刀进行自动清洗，节省人力资源以及缩短清洗时间。

本发明提供了一种蚀刻机风刀的清洗机构，包括风刀，所述风刀上设有主管路，在主管路上设有两路分支，一路为与清洗液水槽连接的水管，另一路为通气的通气管，所述水管上设有第一气动阀，水管上设有第二气动阀。

进一步地，所述第一气动阀包括第一手动气动阀和第一电控气动阀，所述第一电控气动阀与蚀刻机的控制器连接。

进一步地，所述第二气动阀包括第二手动气动阀和第二电控气动阀，所述第二电控气动阀与蚀刻机的控制器连接。

本发明还提供了一种用于蚀刻机风刀的清洗机构的控制方法，所述控制方法包括清洗和风干；

所述清洗包括控制器开启第一气动阀，将清洗液经水管、主管路通入风刀，实现对风刀进行清洗；

所述风干包括控制器关闭第一气动阀同时开启第二气动阀，使气体经通气管、主管路通入风刀，实现对风刀中的残留清洗液进行风干。

进一步地，所述控制方法还包括在进行清洗前对主管路中的药液进行药液回流，所述药液回流包括将残留在主管路中的药液回收至药液箱中。

进一步地，所述清洗的清洗时间为每个风刀清洗400秒。

进一步地，所述清洗液为去离子水。

进一步地，所述风干的通气时间为300秒。

进一步地，所述气体为洁净干燥的压缩空气。

进一步地，所述药液回流的回流时间为5分钟。

本发明与现有技术相比，通过在风刀的主管路上设置用于清洗的清洗管路以及用于风干的通气管路，通过控制器对两个管路的控制，实现对风刀的自动清洗，节省了人力资源以及缩短清洗时间。

附图说明

图1是本发明清洗机构的结构示意图；

图2是本发明控制方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

如图1所示，本发明的蚀刻机风刀的清洗机构包括风刀1，所述风刀1上设有主管路2，在主管路2上设有两路分支，一路为与清洗液水槽连接的水管3，另一路为通气的通气管4，所述水管3上设有第一气动阀5，水管3上设有第二气动阀6；在本发明中清洗液为常规的清洗液，但本发明不限于此，例如将水管3与蚀刻机的去离子水槽相连，将去离子水作为清洗液对风刀1进行清洗。

本发明中，主管路2还与蚀刻机的药液箱连接(图中未示出)，与药液箱的连接采用现有技术的连接方式，在此不做具体限定。

本发明中设置一用于清洗的清洗液水槽与水管3连接即可，这里值得注意的是，第一气动阀5仅用于控制清洗液水槽与主管路2之间的连通或断开。

本发明中，通气管4与压缩气体罐连接(图中未示出)。

作为本发明的一种实施方式，所述第一气动阀5包括第一手动气动阀51和第一电控气动阀52，所述第一电控气动阀52与蚀刻机的控制器连接；所述第二气动阀6包括第二手动气动阀61和第二电控气动阀62，所述第二电控气动阀62与蚀刻机的控制器连接。但本发明不限于此，第一气动阀5和第二气动阀6还可以直接采用电控气动阀。所述控制器为蚀刻机上的PLC(可编程逻辑)控制器进行控制。

如图2所示，本发明还提供了一种用于蚀刻机风刀的清洗机构的控制方法，所述控制方法主要包括清洗和风干；

具体地，所述清洗包括控制器开启第一气动阀5，将清洗液经水管3、主管路2通入风刀1，实现对风刀1进行清洗；所述清洗液为去离子水。