[发明专利]叠层片式电子元器件流延浆料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于电子元件制造技术领域，具体涉及一种叠层片式电子元器件流延浆料及其制备方法。

背景技术

流延成型是一种简单而有效的陶瓷成型工艺，自从1947年问世以来，已被广泛应用于多个电子器件领域。其中，使用量最大的就是多层陶瓷电容器(MLCC)。

但由于配制流延浆料需要使用大量的甲苯、邻苯二甲酸二丁酯等有毒或对环境有害的溶剂，不但对环境造成恶劣的影响，对产线工人的身心健康也有重要的影响。

近年来，出现了以水为溶剂的环保型流延浆料。但是由于水的蒸发速率低，以及水的极化性，难以使得粉体在水中均匀分散。这极大阻碍了水基流延在现实生产中的应用。

无论是有机溶剂还是无机溶剂，在流延成型过程中，均未能达到有效的流延效果，而且流延经过烧结后，致密性以及均匀性有待提高。

发明内容

针对目前陶瓷电容器流延浆料中有机溶剂存在的环境不友好、无机溶剂导致陶瓷粉体不易分散以及两种溶剂条件下获得的流延效果不佳及流延后烧结的致密性和均匀性不佳等问题，本发明提供了一种叠层片式电子元器件流延浆料。

进一步地，本发明还提供该叠层片式电子元器件流延浆料的制备方法。

为了实现上述发明目的，本发明实施例的技术方案如下：

一种叠层片式电子元器件流延浆料，按所述流延浆料质量为100％计，包括如下组分：

其中，所述溶剂为乙醇。

相应地，所述叠层片式电子元器件流延浆料的制备方法，至少包括以下步骤：

步骤S01.称取如上所述的原料组分；

步骤S02.将所述分散剂和部分所述溶剂进行混料处理，得到第一混合物料；

步骤S03.将所述第一混合物料倒入球磨介质填充量为球磨设备容积的30％～50％的球磨设备中，并向所述球磨设备中加入所述陶瓷粉体，球磨处理，得到第一浆料；

步骤S04.将剩余的所述溶剂加热至40℃～50℃，随后加入所述增溶剂进行搅拌混料处理，逐滴加入所述粘结剂，并不断增大搅拌速度，得到第二混合物料；

步骤S05.将所述第二混合物料、增塑剂加入所述球磨设备中与所述第一浆料进行球磨混料处理，得到流延浆料。

相对于现有技术，本发明提供的叠层片式电子元器件流延浆料采用乙醇作为溶剂，陶瓷粉体分散性良好，减少了废液废气的处理费用，减少对人员伤害；烘干速度快，减少烘干等待时间，降低烘干所需温度，降低了生产成本并且缩短生产时间。

本发明提供的叠层片式电子元器件流延浆料的制备方法，先将部分溶剂与分散剂进行混合获得第一混合物料，并将剩余溶剂与增塑剂进行混料并逐滴加入粘结剂，得到第二混合物料，同时先将第一混合物料与陶瓷粉体进行球磨再与第二混合物料及增塑剂进行混料处理，使得陶瓷粉体均匀的分散于溶液中，得到的流延浆料性能稳定，长时间存放不发生沉降现象，将通过本制备方法得到的流延浆料在流延后经过烧结处理成型后，可以获得致密性良好且均匀性良好的薄膜。本制备方法工艺过程简单，而且对环境友好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1叠层片式电子元器件流延浆料的浆料流变特性示意图，其中shear rate表示剪切率，Viscosity表示粘度；

图2是本发明实施例1叠层片式电子元器件流延浆料制成的生瓷片实体图；

图3是本发明实施例1的叠层片式电子元器件流延浆料制成的生瓷片的AFM图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实例提供了一种叠层片式电子元器件流延浆料。

所述叠层片式电子元器件流延浆料，按所述流延浆料原料质量为100％计，包括如下组分：

其中，所述溶剂为乙醇。

下面对该流延浆料做进一步的解释说明。

本发明上述方案的陶瓷粉体为钛酸钡或者氧化铝。钛酸钡或者氧化铝作为陶瓷粉体，能够与其他流延浆料在乙醇的作用下，能够很好的与其他发生分散，为获得沉降速率慢的流延浆料奠定基本材料。