[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示器的尺寸、分辨率和画面刷新速率的要求越来越高，使得新材料和新工艺的发展也迫在眉睫，目前，采用金属铜代替金属铝作为导电金属材料，不仅可以提高显示面板的分辨率及响应速度，而且显示面板的闪烁现象(flicker)和金属导线的负载都有大幅度降低。

显示面板的阵列基板工艺方法中，一般铜(Cu)膜采用物理气相沉积法在衬底基板上进行沉积，在沉积结束后，还需要经过黄光制程和刻蚀制程等工艺流程，Cu膜均是暴露在空气中，表层的Cu会有部分被氧化，通过数据统计，将Cu膜暴露在空气中超过30min，其Cu膜表面的电阻率会提高30％以上，从而会导致Cu线的电阻率增大；同时Cu膜氧化后产生的CuOx及Cu(OH)x会导致静电(ESD)现象，进而影响薄膜晶体管(TFT)器件的显示效果。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法，能够减少薄膜晶体管因铜膜被氧化，导致铜线的电阻率增大和静电现象的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上沉积复合膜层，所述复合膜层包括依次沉积的铜膜层和镍膜层；对沉积所述复合膜层的衬底基板进行退火处理，以使得所述铜膜层的表层为铜-镍掺杂层；图形化退火处理后的所述复合膜层。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：衬底基板；栅极层，所述栅极层沉积于所述衬底基板上，所述栅极层包括依次沉积于所述衬底基板上的铜膜层和铜-镍掺杂膜层；层叠结构，形成于所述衬底基板及所述栅极层上。

本申请的有益效果是：本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法，通过依次沉积的铜膜层和镍膜层，进行退火处理后使得铜膜层的表层为铜-镍掺杂层，可以阻止铜膜层进一步氧化，降低铜膜层的电阻率，从而改善薄膜晶体管的显示效果，提升显示面板的品质。

附图说明

图1是本申请薄膜晶体管制作方法第一实施方式的流程示意图；

图2是本申请薄膜晶体管中复合膜层的具体制备工艺流程图；

图3是本申请薄膜晶体管中铜-镍掺杂层具体制备工艺流程图；

图4是本申请薄膜晶体管中复合膜层图形化具体制备工艺流程图；

图5是本申请薄膜晶体管制作方法第二实施方式的流程示意图；

图6是本申请薄膜晶体管中层叠结构具体制备工艺流程图；

图7是本申请薄膜晶体管一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1，图1为本申请薄膜晶体管制作方法第一实施方式的流程示意图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

S101：在衬底基板上沉积复合膜层，复合膜层包括依次沉积的铜膜层和镍膜层。

该步骤中，先提供一衬底基板。该衬底基板可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板或者透明塑料等任意形式的基板，此处本申请不做具体限定，且在本实施例中，所采用的衬底基板为玻璃基板。

参阅图2至图4，图2至图4为本申请薄膜晶体管具体制备工艺流程图。在衬底基板上沉积复合膜层，复合膜层的沉积方式包括但不限于物理沉积、化学气相沉积等沉积方式，此处不做限定。本申请中采用的是物理气相沉积方法(Physical Vapor Deposition，PVD)，PVD是指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子的铜或者镍由靶源转移到衬底基板的表面上的过程。其中，PVD的基本方法有很多种，本实施例中，采用的PVD机台为内联(inline)式设备。在制程腔体(process chamber)中的靶材依次设计为铜(Cu)靶和镍(Ni)靶。