[发明专利]一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法

说明书

技术领域

本发明属于贡菊侧芽幼茎微扦插技术领域，具体涉及一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法。

背景技术

现有技术为解决茶用菊花新优品种在短期内快速规模化生产的问题，有通过茶用菊花侧芽的幼嫩茎尖进行微扦插技术研究，研究结果表明，“玉龙”、“玉台1号”、“杭菊”扦插后具有较整齐的扦插根，生根质量高，能在短时间内提高茶用菊花的繁殖系数，保持木本的优良性状，实现茶用菊花的快速育苗，但贡菊采用幼嫩茎尖扦插后，生根率极低，仅为12.5%，其他品种均可达到100%，而且生根质量较差，限制了贡菊侧芽幼茎微扦插技术的使用。

发明内容

本发明的目的是针对现有的问题，提供了一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.2-4.5cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为400-500kV/m的高压静电场处理20-30分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为2-4g/60株，然后在温度为为22-26℃、相对湿度为75-80%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4-1.6cm。

作为对上述方案的进一步改进，所述侧芽由健康贡菊按照常规方法在日光温室中剪取顶尖，进行扦插，扦插后25天，当侧芽长到6-7cm后，采集侧芽即可。

作为对上述方案的进一步改进，所述微插穗用消毒液中包含：硫酸铜0.28wt%、新洁尔灭溶液0.1wt%、磷酸三钠1.26wt%。

作为对上述方案的进一步改进，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为20-40mm。

作为对上述方案的进一步改进，所述扦插用基质包括以下重量份的原料：蛭石18-22份、泥炭12-16份、珍珠岩4-8份、腐殖质土2-5份、苔藓1-3份。

作为对上述方案的进一步改进，所述喷淋时，将微插穗置于吸水棉上进行喷淋，能够有效收集未被吸收的硝酸钾溶液，且可以使其与铺放的微插穗充分接触。

本发明相比现有技术具有以下优点：本发明中利用高压静电场对微插穗进行处理，改变贡菊微插穗中酶活性，改变细胞膜的通透性，在处理过程中无放射性物质，再配合硝酸钾溶液处理后进行扦插，能够使贡菊的生根率达到100%，且生根质量明显提高，进入生长阶段后，与长度为10cm的扦插苗无明显区别，相比常规扦插苗能够在短时间内提高贡菊的繁殖系数，并保持贡菊的优良性状，有利于快速规模化生产。

具体实施方式

实施例1

一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.4cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为450kV/m的高压静电场处理25分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为3g/60株，然后在温度为为24℃、相对湿度为78%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.5cm。

其中，所述侧芽由健康贡菊按照常规方法在日光温室中剪取顶尖，进行扦插，扦插后25天，当侧芽长到6-7cm后，采集侧芽即可；所述微插穗用消毒液中包含：硫酸铜0.28wt%、新洁尔灭溶液0.1wt%、磷酸三钠1.26wt%。

其中，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为30mm；蛭石20份、泥炭14份、珍珠岩6份、腐殖质土4份、苔藓2份。

其中，所述喷淋时，将微插穗置于吸水棉上进行喷淋，能够有效收集未被吸收的硝酸钾溶液，且可以使其与铺放的微插穗充分接触。

实施例2

一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.2cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为500kV/m的高压静电场处理20分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为4g/60株，然后在温度为为26℃、相对湿度为75%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4cm。

其中，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为20mm；所述扦插用基质包括以下重量份的原料：蛭石18份、泥炭12份、珍珠岩8份、腐殖质土2份、苔藓3份。

实施例3