[发明专利]一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法在审
| 申请号： | 201710887677.5 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107808819A | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 孙晓娟;黎大兵;贾玉萍;刘贺男;宋航;李志明;陈一仁;缪国庆;蒋红;张志伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 液态 石墨 应用于 gan 基材 料及 器件 方法 | ||
1.一种液态石墨烯应用于GaN基材料及器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、生长GaN基材料；
步骤2、配置石墨烯溶液；
步骤3、在GaN基材料表面界定石墨烯窗口；
步骤4、通过旋涂或者滴定的方式，将步骤2配置的石墨烯溶液滴加到GaN基材料表面界定石墨烯窗口中；
步骤5、挥发溶剂，实现基于石墨烯的GaN基器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1具体为：在基底上利用MOCVD方法，通过两步生长法生长GaN基材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为蓝宝石、硅或碳化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，GaN基材料为GaN、AlN、InN以及他们所构成的三元或多元合金材料中的一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2配置石墨烯溶液的具体步骤为，选用固态石墨烯，溶剂为去离子水、酒精或者二甲基甲酰胺，通过恒温超声波振动的方式配置得到石墨烯溶液。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述石墨烯溶液的浓度为0.1mg/mL的石墨烯水溶液，是选用固态石墨烯，溶剂为去离子水，在35度恒温下，超声波振动72小时得到的。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3具体为：利用光刻的方式在GaN基材料表面界定石墨烯窗口的位置和尺寸。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中所述旋涂的速度为300r/s。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中所述挥发溶剂具体步骤为：利用自然风干、热板加热或者烤箱烘烤的方式挥发石墨烯中的溶剂。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的方法，其特征在于，所述石墨烯既可以作为GaN基器件的接触电极，又可以作为光吸收层或电流传导层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
