[发明专利]一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710887679.4 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107703718A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 孙晓娟;黎大兵;贾玉萍;刘贺男;宋航;李志明;陈一仁;缪国庆;蒋红;张志伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/26 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 玻璃 衬底 梯形 截面 光刻 胶掩膜 制备 方法 | ||
1.一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在大面积玻璃衬底表面旋涂光刻胶；
步骤2、利用烤箱烘烤大面积玻璃衬底；
步骤3、将带有图形的光刻版与大面积玻璃衬底表面旋涂的光刻胶进行接触曝光；
步骤4、再次利用烤箱烘烤接触曝光后的大面积玻璃衬底；
步骤5、对再次烘烤后的大面积玻璃衬底表面旋涂的光刻胶进行泛曝光；
步骤6、利用显影液进行显影后，在大面积玻璃衬底上获得光刻胶截面为倒梯形的掩膜图形。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1具体为：利用匀胶机在大面积玻璃衬底表面旋涂光刻胶，匀胶机的转速为1000r/min-4000r/min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中利用烤箱烘烤大面积玻璃衬底的烘烤温度为60-80℃，烘烤时间为20-40分钟。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中接触曝光的时间为6-10秒。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4中再次利用烤箱烘烤大面积玻璃衬底的烘烤温度为115-130℃，烘烤时间为6-10分钟。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5中泛曝光的时间为30-55秒。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤6中显影时间为30-60秒。
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