[发明专利]一种背接触太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的表面作制绒处理；

(2)、在步骤(1)处理后的N型晶体硅基体的正表面制备薄掩膜；

(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体放入工业用扩散炉中对基体的正表面和背表面进行磷扩散处理，扩散温度为750-900℃，时间为60-180分钟，扩散过程中引入磷硅玻璃生长促进剂，扩散完成后，在正表面形成n+轻掺杂区域和磷硅玻璃层，在背表面形成n+重掺杂区域和磷硅玻璃层；

(4)、使用激光器在步骤(3)处理后的N型晶体硅基体的背表面形成穿透磷硅玻璃的槽状结构；

(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体放入碱性抛光液中，刻蚀掉背表面未被磷硅玻璃覆盖的n+重掺杂区域；

(6)、对步骤(5)处理后的N型晶体硅基体进行背表面硼扩散处理，形成背表面p+掺杂区域；

(7)、将步骤(6)处理后的N型晶体硅基体进行清洗处理，去除正表面磷硅玻璃层、正表面薄掩膜及背表面的磷硅玻璃层；

(8)、在步骤(7)处理后的N型晶体硅基体的正表面设置钝化减反膜，在背表面设置钝化膜；

(9)、通过丝网印刷的方法在步骤(8)处理后的N型晶体硅基体的背表面n+重掺杂区域上印刷n+金属电极浆料，在背表面p+掺杂区域上印刷p+金属电极浆料，并进行烧结处理。

2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述薄掩膜为SiO₂、SiN_x或SiO_xN_y中的一种或几种的混合，其厚度为10nm-40nm。

3.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述磷硅玻璃生长促进剂是水蒸气，磷硅玻璃层的厚度大于50nm。

4.根据权利要求3所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述水蒸气通过氮气或者氧气鼓泡的方式携带进入扩散装置。

5.根据权利要求3所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：通过氮气或氧气直接携带饱和水蒸气的方式进入扩散装置；携带水蒸气的氮气或氧气的流量为500-5000sccm。

6.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，磷扩散处理的磷源采用三氯氧磷，扩散温度为750-900℃，时间为60-180分钟；磷扩散后正表面n+轻掺杂区域的方阻为100-300Ω/sqr，背表面n+重掺杂区域的方阻为50-100Ω/sqr。

7.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(5)中，碱性抛光液为KOH、NaOH、四甲基氢氧化铵或乙二胺溶液。

8.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(6)中，硼扩散处理的硼源为三溴化硼，扩散温度为940-1000℃，时间为150-240分钟，硼扩散后的方阻为40-150Ω/sqr。

9.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(8)中，N型晶体硅正表面钝化减反膜的制备方法是：在N型晶体硅基体的正表面利用PECVD技术先沉积一层厚度为5～30nm的SiO₂介质膜，然后在SiO₂介质膜上再沉积一层厚度为40～80nm的SiN_x介质膜；背表面钝化膜的制备方法是：在N型晶体硅基体的背表面利用PECVD技术或ALD技术先沉积一层厚度为4～20nm的AlO_x介质膜，然后在AlO_x介质膜的表面再沉积一层厚度为20～50nm的SiN_x介质膜。

10.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(9)中，p+金属电极浆料为银铝浆，n+金属电极浆料为银浆。