[发明专利]集成电路装置

说明书

提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

于2017年3月6日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0028549号且名称为“集成电路装置(Integrated Circuit Device)”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种集成电路装置，更具体地，涉及一种包括金属布线层的集成电路装置。

背景技术

由于电子技术的发展，集成电路装置在近几年已经按比例缩小，因此，集成电路装置中包括的金属布线层的线宽和节距减小了。因此，需要开发一种包括呈现出改善的可靠性的低电阻金属布线层的集成电路装置。

发明内容

根据实施例的一方面，提供了一种集成电路装置，集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

根据实施例的另一方面，提供了一种集成电路装置，集成电路装置包括：鳍式有源区，从基底向上突出；多个源区和漏区，填充鳍式有源区中的多个凹进区；栅极线，位于鳍式有源区上，栅极线在与鳍式有源区相交的方向上延伸；源极接触件和漏极接触件，连接到来自多个源区和漏区之中的一个源区和漏区的顶表面；栅极接触件，连接到栅极线的顶表面，其中，源极接触件、漏极接触件和栅极接触件中的至少一个包括：下布线层，包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，并且包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，并且包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层，设置在下导电阻挡膜上，并且包括第二金属。

根据实施例的又一方面，提供了一种集成电路装置，集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下布线阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，设置在下导电阻挡膜的顶表面上并且包括第二金属，第一金属硅化物盖层的侧边表面和第二金属硅化物盖层的侧边表面彼此接触。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员来说将变得明显，在附图中：

图1A示出根据实施例的集成电路装置的一些组件的平面布置的平面图；

图1B示出沿图1A的线B-B'的剖视图；

图1C示出沿图1A的线C-C'的剖视图；

图2至图5示出根据其它实施例的集成电路装置的主要组件的剖视图；

图6A至图6G示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；

图7A至图7C示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；

图8A至图8C示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；

图9A至图9D示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；

图10A和图10B示出根据实施例的制造集成电路装置的方法中的步骤的剖视图；