[发明专利]一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法有效
| 申请号： | 201710889208.7 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107723789B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 芦红;宋欢欢 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 灰锡单晶 薄膜 低温 外延 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，其特征在于，具体步骤包括：
(1)首先对(100)晶面的InSb衬底加热进行去氧化处理；
(2)通过分子束外延的方法在InSb衬底上生长一层InSb缓冲层；
(3)在InSb缓冲层的表面沉积一层非晶Sb作为保护层，防止氧化；
(4)在Ⅳ族分子束外延设备中，将步骤(3)得到的InSb衬底加热至400℃去除非晶Sb；
(5)通过分子束外延的生长方法，在10℃～15℃的条件下，生长单质锡薄膜，生长速率为最终得到20nm～100nm厚的灰锡单晶薄膜，所述灰锡单晶薄膜的相变温度为120℃。
2.根据权利要求1所述的一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，加热温度为500℃。
3.根据权利要求1所述的一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，InSb缓冲层的生长速率为生长温度为450℃，厚度为50nm。
4.根据权利要求1所述的一种高质量灰锡单晶薄膜的低温外延制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，保护层的生长速率为生长温度为150℃，厚度为50nm。
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