[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在层叠在衬底上的缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层；

在所述第一未掺杂氮化镓层上形成胶体晶体薄膜，所述胶体晶体薄膜包括阵列排列在所述第一未掺杂氮化镓层上的多个有机颗粒，所述有机颗粒的直径为0.5μm～1.8μm；

在所述多个有机颗粒上和所述多个有机颗粒之间沉积氧化物薄膜；

对所述多个有机颗粒进行加热，所述多个有机颗粒在温度升高的过程中分解成气体从所述氧化物薄膜和所述第一未掺杂氮化镓层之间排出，所述第一未掺杂氮化镓层和所述氧化物薄膜之间形成阵列排列的多个空腔；

在所述氧化物薄膜上生长第二未掺杂氮化镓层；

在所述第二未掺杂氮化镓层上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，形成外延片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

将激光作用在所述氧化物薄膜内，利用所述多个空腔将所述第一未掺杂氮化镓层和所述第二未掺杂氮化镓层分离；

对所述第一未掺杂氮化镓层进行刻蚀，直到所述第一未掺杂氮化镓层的表面为平面，得到层叠有缓冲层的衬底。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在层叠在衬底上的缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层，包括：

提供一层叠有缓冲层的衬底；

在所述缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在层叠在衬底上的缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层，包括：

在衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层上生长第一未掺杂氮化镓层。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一未掺杂氮化镓层上形成胶体晶体薄膜，所述胶体晶体薄膜包括阵列排列在所述第一未掺杂氮化镓层上的多个有机颗粒，包括：

将前驱体分散在溶剂中发生反应，生成所述有机颗粒；

对所述溶剂进行蒸发，所述有机颗粒在所述溶剂蒸发诱导产生的毛细作用下呈阵列排列，形成所述胶体晶体薄膜。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述有机颗粒的材料采用聚苯乙烯。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氧化物薄膜的材料采用氧化铝或者氧化锌。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述氧化物薄膜的厚度为0.5nm～50nm。

9.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述缓冲层和所述N型氮化镓层之间的第一未掺杂氮化镓层、胶体晶体薄膜、氧化物薄膜和第二未掺杂氮化镓层，所述第一未掺杂氮化镓层设置在所述缓冲层上，所述胶体晶体薄膜包括阵列排列在所述第一未掺杂氮化镓层上的多个有机颗粒，所述有机颗粒的直径为0.5μm～1.8μm，所述氧化物薄膜设置在所述多个有机颗粒上和所述多个有机颗粒之间，所述第二未掺杂氮化镓层设置在所述氧化物薄膜上。