[发明专利]一种双掺晶体激光产生方法及装置

权利要求书

1.一种双掺晶体激光产生方法，其特征在于，

采用940nm泵浦光端面泵浦或侧面泵浦Yb³⁺与Nd³⁺的掺杂浓度比例范围为6-12倍的钕镱双掺晶体，产生1064nm激光输出；

所述钕镱双掺晶体中Nd³⁺的掺杂浓度范围为：0.6at.％-1.2at.％，Yb³⁺的掺杂浓度范围为：3.6at.％-14.4at.％。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用940nm泵浦光和808nm泵浦光同时端面泵浦或侧面泵浦钕镱双掺晶体，获得1064nm激光输出。

3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，

当泵浦光泵浦所述钕镱双掺晶体时,将所述钕镱双掺晶体的温度控制在10℃～60℃。

4.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，

所述钕镱双掺晶体的基质为钇铝石榴石(Y₃Al₅O₁₂ YAG)、玻璃、钆镓石榴石(Gd₃Ga₅O₁₂GGG)、钆钪铝石榴石(Gd₃Sc₂Al₃O₁₂ GSGG)、钇正态氧化铝(YAlO₃ YAlO/YAP)、正钒酸钇(YVO₄)、氟化钇(YLiF₄ YLF)中的一种。

5.一种双掺晶体激光产生装置，其特征在于，包括：

谐振腔(1)，包括相对设置的全反腔镜(11)和耦合腔镜(12)以及由所述全反腔镜(11)和耦合腔镜(12)限定的空间；

钕镱双掺晶体(2)，设置在所述谐振腔(1)内，位于所述全反腔镜(11)与耦合腔镜(12)之间；所述钕镱双掺晶体(2)中Yb³⁺与Nd³⁺的掺杂浓度比例范围为6-12倍；所述钕镱双掺晶体中Nd³⁺的掺杂浓度范围为：0.6at.％-1.2at.％，Yb³⁺的掺杂浓度范围为：3.6at.％-14.4at.％；

泵浦光源(3)，设置在所述谐振腔(1)的输入端，包括至少一台940nm泵浦光源(31)，用于端面泵浦所述钕镱双掺晶体(2)，以产生1064nm激光输出。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，

所述泵浦光源(3)包括至少一台940nm泵浦光源(31)和至少一台808nm泵浦光源(32),用于产生940nm泵浦光和808nm泵浦光，同时泵浦所述钕镱双掺晶体(2)。

7.一种双掺晶体激光产生装置，其特征在于，包括：

谐振腔(1)，包括相对设置的全反腔镜(11)和耦合腔镜(12)以及由所述全反腔镜(11)和耦合腔镜(12)限定的空间；

钕镱双掺晶体(2)，设置在所述谐振腔(1)内，位于所述全反腔镜(11)与耦合腔镜(12)之间；所述钕镱双掺晶体(2)中Yb³⁺与Nd³⁺的掺杂浓度比例范围为6-12倍；所述钕镱双掺晶体中Nd³⁺的掺杂浓度范围为：0.6at.％-1.2at.％，Yb³⁺的掺杂浓度范围为：3.6at.％-14.4at.％；

泵浦光源(3)，设置在所述谐振腔(1)的侧面，包括至少一台940nm泵浦光源(31)，用于侧面泵浦所述钕镱双掺晶体(2)，以产生1064nm激光输出。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述泵浦光源(3)包括设置在所述谐振腔(1)同一侧的至少一台940nm泵浦光源(31)和至少一台808nm泵浦光源(32)；

或者，

所述泵浦光源(3)包括分别设置在所述谐振腔(1)两侧的至少一台940nm泵浦光源(31)和至少一台808nm泵浦光源(32)。