[发明专利]一种封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；

金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；

CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点，所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接；

封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括N层金属布线层，N≥1。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述金属凸块包括焊料凸点；或者所述金属凸块包括金属柱以及位于金属柱上方的焊料凸点。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述CMOS图像传感器芯片包括前照式、背照式CMOS图像传感器芯片中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述背照式CMOS图像传感器芯片自上而下包括玻璃层、微透镜、彩色滤光镜、光电二极管和电路层。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述CMOS图像传感器芯片和所述逻辑芯片均与所述重新布线层之间具有间隙，所述间隙中形成有保护层，所述保护层填充所述间隙，所述保护层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

7.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

1)提供晶圆级衬底；

2)于所述晶圆级衬底上形成分离层；

3)于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；

4)提供CMOS图像传感器芯片及逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点；

5)将所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面朝下粘附于所述重新布线层第二面上；

6)采用封装材料对所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片进行封装，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料；

7)去除所述晶圆级衬底及分离层；

8)于所述重新布线层第一面的金属布线层上形成金属凸块；

9)切割所述步骤8)中产生的晶圆级封装结构，得到多个集成有所述CMOS图像传感器芯片与所述逻辑芯片的封装结构。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于：所述晶圆级衬底包括玻璃衬底、金属衬底、半导体衬底、聚合物衬底及陶瓷衬底中的一种。

9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于：所述分离层包括胶带及聚合物中的一种，所述分离层采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。

10.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于：步骤3)中制作所述重新布线层包括步骤：

3-1)采用化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺于所述硅衬底表面形成介质层，并对所述介质层进行刻蚀形成图形化的介质层；

3-2)采用化学气相沉积工艺、蒸镀工艺、溅射工艺、电镀工艺或化学镀工艺于所述图形化介质层表面形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀形成图形化的金属布线层。

11.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于：步骤4)中所述CMOS图像传感器芯片包括前照式、背照式CMOS图像传感器芯片中的一种或两种以上组合。