[发明专利]一种半导体芯片结构

权利要求书

1.一种半导体芯片结构，其特征在于，包括：半导体器件结构区和珀尔帖致冷结构区；

所述半导体器件结构区包括依次堆叠设置的第一电极、器件侧第一半导体层、器件侧第二半导体层和第二电极；

所述珀尔帖致冷结构区包括依次堆叠设置的第一热端电极、致冷侧第一半导体层、致冷侧第二半导体层和第二热端电极，以及，所述珀尔帖致冷结构区包括连通所述致冷侧第一半导体层和所述致冷侧第二半导体层的致冷电极，所述致冷电极与所述第一热端电极和第二热端电极隔离；

其中，所述器件侧第一半导体层和所述致冷侧第一半导体层共用同一半导体层；

所述器件侧第二半导体层和所述致冷侧第二半导体层为同一半导体层分割的两部分；

所述致冷侧第二半导体层包括多个致冷侧第二半导体子层，所述第二热端电极包括多个第二热端子电极，所述致冷电极包括多个致冷子电极；

其中，一所述致冷侧第二半导体子层、一所述第二热端子电极及一所述致冷子电极组成一珀尔帖致冷结构子区，多个所述珀尔帖致冷结构子区的排列方向，与所述器件侧第二半导体层至所述致冷侧第二半导体层的方向垂直。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，相邻所述珀尔帖致冷结构子区之间还包括有一辅助热端电极，所述辅助热端电极连通所述致冷侧第一半导体层和一所述第二热端子电极，且不同所述辅助热端电极连接的第二热端子电极不同。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，位于所述器件侧第一半导体层和所述器件侧第二半导体层之间还包括器件侧发光层。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片结构，其特征在于，位于所述致冷侧第一半导体层和所述致冷侧第二半导体层之间还包括：

致冷侧发光层，所述致冷侧发光层与所述器件侧发光层为同一发光层分割的两部分。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述器件侧第一半导体层和所述致冷侧第一半导体层所共用的半导体层为衬底层，位于所述器件侧第一半导体层和所述器件侧发光层之间还包括器件侧第一类型分布布拉格反射镜；

以及，所述器件侧第二半导体层为器件侧第二类型分布布拉格反射镜，位于所述器件侧第二半导体层和所述第二电极之间还包括器件侧接触层。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片结构，其特征在于，位于所述致冷侧第一半导体层和所述致冷侧发光层之间还包括致冷侧第一类型分布布拉格反射镜；

以及，所述致冷侧第二半导体层为器件侧第二类型分布布拉格反射镜，位于所述致冷侧第二半导体层和所述第二热端电极之间还包括致冷侧接触层；

其中，所述致冷侧接触层与所述器件侧接触层为同一接触层分割的两部分。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述致冷侧第一类型分布布拉格反射镜与所述器件侧第一类型分布布拉格反射镜为同一布拉格反射镜分割的两部分，且所述致冷电极连通所述致冷侧第一半导体层和所述致冷侧接触层；

或者，所述致冷侧第一类型分布布拉格反射镜与所述器件侧第一类型分布布拉格反射镜共用同一布拉格反射镜，且所述致冷电极连通所述致冷侧第一类型分布布拉格反射镜和所述致冷侧接触层。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片结构，其特征在于，所述致冷电极位于所述器件侧第二半导体层和所述致冷侧第二半导体层之间形成的间隙区域。